TFT阵列基板、显示设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，包括：基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中：所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板、显示设备
本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT阵列基板、显示设备。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示)是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT(Cathode Ray Tube)的显示器件，发展多年来受到人们的广泛关注，同时对性能也提出了越来越高的要求。目前高分辨率，低功耗TFT-LCD产品成为发展的重点和研发的热点。但是，目前在进行TFT阵列基板制作时，通常是首先通过一次掩膜形成栅极层图案，再通过一次掩膜形成有源层图案，掩膜次数较多，其工艺流程较复杂。
技术实现思路
本技术实施例提供一种TFT阵列基板、显示设备，以降低工艺流程复杂度。本技术实施例提供一种TFT阵列基板，包括:基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中:所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。进一步地，所述栅绝缘层通过两次沉积形成包括:通过一次半色调或灰阶掩模工艺形成栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中：所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括: 基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中: 所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层通过两次沉积形成包括: 通过一次半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层，其中，有源层区...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓辉，张家祥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：