一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板制造技术

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板。该薄膜晶体管驱动背板包括内设有多个有源器件的背板基体和设置在该背板基体上的电极层；该电极层上形成有源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。本实用新型专利技术的薄膜晶体管驱动背板采用源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极同处于同一电极层的设计，所述漏极和像素电极一体形成，可使其结构的可靠度更高；且将源极、漏极和像素电极通过一次构图工艺即可同时形成；可有效减少构图工艺次数，简化制作步骤，节约制作成本。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板。
技术介绍
随着人们生活水平的提高，人们对显示质量的要求也越来越高，液晶显示器(LCD)已经非常成熟，手机、相机、电脑、电视等都可见LCD的身影。人们对显示产品的大量需求，客观上推动了显示技术的发展，新的显示技术不断出现。有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED)被称为下一代显示技术，包括三星电子、LG、飞利浦都十分重视这项新的显示技术。目前除了三星电子与LG、飞利浦以发展大尺寸有源矩阵有机发光二极体面板产品为主要方向外，三星SD1、友达等都是以中小尺寸为发展方向。因为有源矩阵有机发光二极体面板不管在画质、效能及成本上，先天表现都较TFT LCD优势很多。但是现有的有源矩阵有机发光二极体面板，特别是用于驱动面板显像的薄膜晶体管驱动背板，其制作工艺主要是通过构图工艺在其内的各薄膜层上形成如薄膜晶体管等器件所需的图形，这就需要进行多次构图工艺，通常需要七次以上构图工艺才能制作完成，而每次构图工艺所需的资金很昂贵；因此对于薄膜晶体管驱动背板的制作而言，减少构图工艺的次数是制约其发展的难题。因此，针对上述问题本技术提出一种新的薄膜晶体管驱动背板、显示面板。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板；该薄膜晶体管驱动背板通过源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极同处于同一电极层的设计实现简化制作步骤，节约制作成本的目的。本技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种薄膜晶体管驱动背板，包括设有多个有源器件结构的背板基体和设置在该背板基体上的电极层；该电极层上形成有源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。进一步地，所述背板基体包括衬底基板，在该衬底基板上依次设置具有多个有源通道的半导体层、栅绝缘层、具有多个栅极的栅极层、隔离保护层和层间电介质层；在所述隔离保护层和层间电介质层内设有多个接触孔。进一步地，各所述有源器件均包括所述有源通道以及所述栅极；所述有源通道包括源极接触区、漏极接触区和设置在所述源极接触区与漏极接触区之间的沟道连接区，所述栅极对应设置在所述沟道连接区上。进一步地，各所述源极接触区和各所述漏极接触区上均设有所述接触孔，该接触孔贯穿所述层间电介质层和所述隔离保护层。进一步地，所述漏极伸入所述接触孔并与所述漏极接触区连接；所述源极伸入所述接触孔并与所述源极接触区连接。进一步地，所述衬底基板与所述半导体层之间还设有缓冲层。[0011 ] 进一步地，所述电极层上设有像素定义层。进一步地，所述像素定义层上设有隔离柱。进一步地，包括如上述中任一所述的薄膜晶体管驱动背板。本技术与现有技术相比具有以下的优点:本技术的薄膜晶体管驱动背板采用源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极同处于同一电极层的设计，所述漏极和像素电极一体形成，可使其结构的可靠度更高；且将源极、漏极和像素电极通过一次构图工艺即可同时形成；可有效减少构图工艺次数，简化制作步骤，节约制作成本。【附图说明】以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明。图1是本技术中所述的制作方法的步骤框图；图2是本技术中所述制作方法的步骤示意图一(主剖视图)；图3是本技术中所述制作方法的步骤示意图二 (主剖视图)；图4是本技术中所述制作方法的步骤示意图三(主剖视图)；图5是本技术中所述制作方法的步骤示意图四(主剖视图)；图6是本技术中所述制作方法的步骤示意图五(主剖视图)；图7是本技术中所述制作方法的步骤示意图六(主剖视图)。【具体实施方式】实施例一:参见图1所示，本实施例提供一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、制作设有多个有源器件结构的背板基体；其中，所述背板基体包括衬底基板、半导体层、栅绝缘层、栅极层、隔离保护层、层间电介质层和接触孔；所述半导体层具有多个有源通道，所述栅极层具有多个栅极；每一个所述有源通道和与其位置相对应的所述栅极组成了所述有源器件结构。具体的制作所述背板基体具体包括如下步骤:参见图2所示，对所述衬底基板101进行清洗处理，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述衬底基板上设置缓冲层102 ;其中，所述衬底基板由玻璃、透明塑料等透光率好的透明材料构成；所述缓冲层由氧化硅材料层和氮化硅材料层依次设置而成，或氧化硅材料层和氮化硅材料层的复合层制成，氧化硅材料层厚度为50-100纳米，氮化硅材料层厚度为100-300纳米；所述氧化硅材料层和氮化硅材料层的复合层是指通过一次制造工艺制作出的同时具有氧化硅材料层和氮化硅材料层这两种材料层的复合型材料层。通过等离子体增强化学气相沉积法在所述缓冲层上设置非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜厚度为40-50纳米；将所述衬底基板送入高温反应炉中，对所述非晶硅薄膜进行脱氢处理；以达到减少非晶硅薄膜中氢含量的目的，一般将氢的含量控制在2%以内；对所述非晶硅薄膜进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅薄膜转变多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜即为所述的半导体层。参见图3所示，通过掩膜光刻工艺的这种构图工艺将所述半导体层制成多个有源通道103 ;所述有源通道包括源极接触区104、漏极接触区105以及设置在所述源极接触区与漏极接触区之间的沟道连接区106。本技术中所述掩膜光刻工艺包括光刻胶涂布、掩膜板设置、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序。参见图3所示，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述半导体层上设置所述栅绝缘层107 ;该栅绝缘层为氧化硅材料层和氮化硅材料层的复合层，其中，氧化硅材料层厚度为50-100纳米，氮化硅材料层厚度为40-80纳米；该栅绝缘层用于阻隔各薄膜晶体管结构中的栅极与有源通道，使两者在工作时不会发生电信号串扰。通过磁控溅射工艺在所述栅绝缘层上设置所述栅极层；该栅极层由钥、钨、钛、铬等中一种金属制成，或者由上述各元素中任意组合形成合金制成。通过掩膜光刻工艺的这种构图工艺将所述栅极层制成多个所述栅极108 ;至此包括所述有源通道及所述栅极的多个完整的所述有源器件结构已形成于所述衬底基板之上；通过离子注入工艺对所述有源通道进行掺杂剂注入；在注入过程中，通过位于所述沟道连接区上方的所述栅极作为掩模，实现自对准；将所述掺杂剂分别注入位于所述源极接触区和漏极接触区处的所述半导体层中；形成具有所述掺杂剂的所述源极接触区和漏极接触区。通过活化工艺将所述源极接触区和漏极接触区中的所述掺杂剂活化；以使活化后的离子形态的所述掺杂剂具有更高的移动能力，使之在位于所述源极接触区和漏极接触区的所述半导体层中自动填补到合适的位置，用以修复其内的晶格缺陷。所述掺杂剂根据其成分不同可分为P型掺杂剂和N型掺杂剂；对应不同的所述掺杂剂可使所述有源通道具有不同的特性，也就是说，本技术的薄膜晶体管驱动背板中可包括N型薄膜晶体管和/或P型薄膜晶体管这两种薄膜晶体管，每种所述薄膜晶体管均包括所述有源通道、栅极、连接在所述源极接触区上的源极以及连接在所述漏极接触区上的漏极。参见图4所示，在所述栅极层上设置所述隔离保护层109 ;具体地说:通过磁控溅射工艺在所述栅极层上设置一层金属薄膜；该金属薄膜采用易于氧化的金属材料制成，例如铝；以下以材料为铝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管驱动背板，其特征在于，包括设有多个有源器件结构的背板基体和设置在该背板基体上的电极层；该电极层上形成有源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管驱动背板，其特征在于，包括设有多个有源器件结构的背板基体和设置在该背板基体上的电极层；该电极层上形成有源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。2.如权利要求1所述薄膜晶体管驱动背板，其特征在于:所述背板基体包括衬底基板，在该衬底基板上依次设置具有多个有源通道的半导体层、栅绝缘层、具有多个栅极的栅极层、隔离保护层和层间电介质层；在所述隔离保护层和层间电介质层内设有多个接触孔。3.如权利要求2所述薄膜晶体管驱动背板，其特征在于:各所述有源器件均包括所述有源通道以及所述栅极；所述有源通道包括源极接触区、漏极接触区和设置在所述源极接触区与漏极接触区之间的沟道连接区，所述栅极对应设置在所述沟道连接区上。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祖强，刘建宏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：