包封件上芯片型封装件制造技术

本发明专利技术提供一种包封件上芯片型封装件。该包封件上芯片型封装件包括基板、设置在基板上的具有第一半导体芯片的半导体芯片包封件、堆叠在半导体芯片包封件上的第二半导体芯片、以及在基板上包封半导体芯片包封件和第二半导体芯片的包封材料层。第一半导体芯片通过在半导体芯片包封件上延伸的再布线层而被电连接到半导体芯片包封件上的至少一个焊盘。第二半导体芯片电连接到与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘。因此，可以是第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的信号路径的电学距离最小化，可以提高传输速度，可以实现稳定的信号传输，进而可以提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
包封件上芯片型封装件
示例性实施例涉及半导体封装领域。具体地讲，示例性实施例涉及一种包封件上芯片型封装件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，提出并开发了一种在一个封装件中设置多个半导体芯片的多芯片封装件。目前，多芯片封装件的最主要的结构为将裸芯片逐一垂直堆叠，然后通过引线键合方式与基板连接，最后通过包封材料层进行包封的堆叠式芯片封装件。堆叠式芯片封装件主要有工艺成熟等特点。图8是示出根据现有技术的堆叠式芯片封装件800的剖视图。如图8中所示，根据现有技术的堆叠式芯片封装件800可以包括基板810、多个第一半导体芯片820、830和840、多个第二半导体芯片850和860、键合引线870、包封材料层880、以及连接件890。第一半导体芯片820、830和840可以顺序堆叠在基板810的上表面上。第二半导体芯片850和860可以堆叠在第一半导体芯片820、830和840上。如图8中所示，第二半导体芯片850和860可以堆叠在第一半导体芯片820、830和840中的最上面的第一半导体芯片840的上表面上。键合引线870可以将基板810、第一半导体芯片820、830和840、以及第二半导体芯片850和860彼此电连接。包封材料层880可以包封第一半导体芯片820、830和840、第二半导体芯片850和860、以及键合引线870。连接件890可以设置在基板810的下表面上。如图8中所示，连接件890可以为焊球。在这样的情况下，堆叠式芯片封装件800可以为球栅阵列（BGA）封装件。第一半导体芯片820、830和840可以为彼此相同的NAND闪速存储器芯片。第二半导体芯片850和860可以分别为存储器控制芯片850和DRAM芯片860。如图1中所示，由于NAND闪速存储器芯片820、830和840的尺寸通常大于存储器控制芯片850和DRAM芯片860的尺寸，所以为了工程稳定性考虑，在进行多层堆叠结构考虑时，可以将较小的存储器控制芯片850和DRAM芯片860放置在最顶层。为提高NAND闪速存储器芯片820、830和840的数据传输速度，应该尽可能缩短NAND闪速存储器芯片820、830和840与存储器控制芯片850之间的信号路径的电学长度；然而，在现有的结构中，NAND闪速存储器芯片820、830和840与存储器控制芯片N50之间的连接需要通过基板，即，NAND闪速存储器芯片与存储器控制芯片之间的信号路径为第一半导体芯片820、830和840—键合引线870—基板810—键合引线870—存储器控制芯片850，所以信号路径的电学长度很长，因此可能不利于电信号的传输。
技术实现思路
为了解决上面的和/或其他的问题，示例性实施例提供了一种芯片封装件，所述芯片封装件可以包括：基板；半导体芯片包封件，半导体芯片包封件设置在基板上，并包括第一半导体芯片、包封第一半导体芯片的第一包封材料层、以及形成在第一包封材料层的上表面上的多个焊盘，所述多个焊盘中的至少一个焊盘通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上延伸的再布线层而与第一半导体芯片电连接；第二半导体芯片，第二半导体芯片堆叠在半导体芯片包封件的上表面上，暴露所述多个焊盘，并电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘；第二包封材料层，第二包封材料层在基板上包封半导体芯片包封件和第二半导体芯片。所述多个焊盘可以通过在第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化而形成。所述芯片封装件还可以包括介电层。介电层可以覆盖第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面，并可以暴露所述多个焊盘。再布线层可以通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化而形成。再布线层和所述多个焊盘可以通过将沉积的金属层图案化而被同时形成。可以通过键合引线或导电胶将第二半导体芯片电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘。所述芯片封装件还可以包括第三半导体芯片。第三半导体芯片可以堆叠在第二半导体芯片上，暴露第二半导体芯片的连接端，并电连接到第二半导体芯片的连接端中的与第一半导体芯片电连接的连接端。第三半导体芯片可以与第二半导体芯片接收来自第一半导体芯片的相同的信号。所述多个焊盘可以包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘。第一半导体芯片和第二半导体芯片可以分别电连接到第一焊盘，从而第一半导体芯片和第二半导体芯片经第一焊盘彼此电连接。第一半导体芯片和基板可以分别电连接到第二焊盘，从而第一半导体芯片和基板经第二焊盘彼此电连接。第二半导体芯片和基板可以分别电连接到第三焊盘，从而第二半导体芯片和基板经第三焊盘彼此电连接。可以分别通过键合引线或导电胶将第二半导体芯片电连接到第一焊盘和第三焊盘以及将基底电连接到第二焊盘和第三焊盘。示例性实施例还可以提供一种制造芯片封装件的方法，所述方法可以包括下述步骤：准备半导体芯片包封件，半导体芯片包封件包括第一半导体芯片、包封第一半导体芯片的第一包封材料层、以及形成在第一包封材料层的上表面上的多个焊盘，所述多个焊盘中的至少一个焊盘通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上延伸的再布线层而与第一半导体芯片电连接；将半导体芯片包封件设置在基板上；在半导体芯片包封件的上表面上堆叠第二半导体芯片并暴露所述多个焊盘；将第二半导体芯片电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘；在基板上形成第二包封材料层，以包封半导体芯片包封件和第二半导体芯片。准备半导体芯片包封件的步骤可以包括：通过在第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化，来形成所述多个焊盘。所述方法还包括可以下述步骤：在半导体芯片包封件上形成介电层，以覆盖第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面并暴露所述多个焊盘。可以通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化，来形成再布线层。可以通过将沉积的金属层图案化来同时形成再布线层和所述多个焊盘。可以通过键合引线或导电胶来将第二半导体芯片电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘。所述方法还可以包括下述步骤：在第二半导体芯片上堆叠第三半导体芯片并暴露第二半导体芯片的连接端；将第三半导体芯片电连接到第二半导体芯片的连接端中的与第一半导体芯片电连接的连接端。第三半导体芯片与第二半导体芯片可以接收来自第一半导体芯片的相同的信号。所述方法可以包括下述步骤：将第一半导体芯片和第二半导体芯片分别电连接到所述多个焊盘中的第一焊盘，从而使第一半导体芯片和第二半导体芯片经第一焊盘彼此电连接；将第一半导体芯片和基板分别电连接到所述多个焊盘中的第二焊盘，从而使第一半导体芯片和基板经第二焊盘彼此电连接；将第二半导体芯片和基板分别电连接到所述多个焊盘中的第三焊盘，从而使第二半导体芯片和基板经第三焊盘彼此电连接。可以分别通过键合引线或导电胶将第二半导体芯片电连接到第一焊盘和第三焊盘以及将基底电连接到第二焊盘和第三焊盘。根据本专利技术的示例性实施例的包封件上芯片型封装件可以使用形成在包封件的表面上的焊盘来构成包封件中的芯片（例如，存储器控制芯片）和在包封件上堆叠的芯片（例如，NAND闪速存储器芯片）之间的信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装件，其特征在于，所述芯片封装件包括：基板；半导体芯片包封件，半导体芯片包封件设置在基板上，并包括第一半导体芯片、包封第一半导体芯片的第一包封材料层、以及形成在第一包封材料层的上表面上的多个焊盘，所述多个焊盘中的至少一个焊盘通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上延伸的再布线层而与第一半导体芯片电连接；第二半导体芯片，第二半导体芯片堆叠在半导体芯片包封件的上表面上，暴露所述多个焊盘，并电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘；第二包封材料层，第二包封材料层在基板上包封半导体芯片包封件和第二半导体芯片。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装件，其特征在于，所述芯片封装件包括：基板；半导体芯片包封件，半导体芯片包封件设置在基板上，并包括第一半导体芯片、包封第一半导体芯片的第一包封材料层、以及形成在第一包封材料层的上表面上的多个焊盘，所述多个焊盘中的至少一个焊盘通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上延伸的再布线层而与第一半导体芯片电连接；第二半导体芯片，第二半导体芯片堆叠在半导体芯片包封件的上表面上，暴露所述多个焊盘，并电连接到所述多个焊盘中的与第一半导体芯片电连接的至少一个焊盘；第二包封材料层，第二包封材料层在基板上包封半导体芯片包封件和第二半导体芯片，其中，再布线层通过在第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化而形成，再布线层和所述多个焊盘通过将沉积的金属层图案化而被同时形成。2.如权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，所述多个焊盘通过在第一包封材料层的上表面上沉积金属层并将沉积的金属层图案化而形成。3.如权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，所述芯片封装件还包括介电层，介电层覆盖第一半导体芯片的上表面和第一包封材料层的上表面并暴露所述多个焊盘。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂华，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：