一种片式铁氧体产品在电镀前的处理方法技术

本发明专利技术涉及一种片式铁氧体产品的处理方法，特别是一种片式铁氧体产品在电镀前的处理方法，包括：1）将片式铁氧体烧在880℃~900℃，保温300~400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净；2）将1）中清洗干净的片式铁氧体与60℃-70℃的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为50-70分钟，进行镀膜处理；3）将2）中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2-3次，然后在150℃-180℃烘干60-90分钟；4）将3）中的片式铁氧体在780℃-800℃烧结，保温10-15分钟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种片式铁氧体产品的处理方法，特别是。
技术介绍
片式铁氧体产品，在外观上存在两端电极向中心延伸的现象，对此类产品外观缺陷称为爬镀。爬镀产生的原因为:产品本身存在电镀时金属沉积条件，通常在磁体表面会存在少量未进入晶格的金属离子，电镀中析出的H原子与金属离子发生还原反应，被还原的金属离子即成为爬镀的基底。传统的防止爬镀的方法主要有两种。一是增加电镀前的回炉工序，将产品在一定的温度下长时间保温。此方法的缺点是时间周期长，增加成本。二是在改善电镀工艺，一般会采用减少电镀时间和镀层厚度，即缩短电镀时间和减少电镀电流。此方法的缺点是会导致产品焊接性能下降。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有工艺的不足，提供一种防爬镀效果好，且不会引起产品其他性能不良的片式铁氧体产品在电镀前的处理方法。为了实现上述目的，采用了以下技术方案: ，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在880°c-900°c，保温300-400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与60°C-70°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为50-70分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2-3次，然后在150。。-180。。烘干 60-90 分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在780°C_800°C烧结，保温10-15分钟。进一步的，所述2)中镀膜液的温度是62°C -68°C，浸泡时间是55_65分钟。进一步的，所述3)中的片式铁氧体是在155°C _170°C烘干65_85分钟。进一步的，所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧。再进一步的，所述镀膜液中纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉是按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。采用本专利技术的有益效果在于:利用镀膜液在铁氧体表面形成陶瓷薄膜保护层，降低烧结后铁氧体表面铁离子的导电性，在电镀时没有铁离子被还原，不能形成爬镀基底，处理方法操作简便，效果好， 时间短。它既可以防止片式铁氧体产品在电镀工序中产出爬镀现象，又不会造成镀层的不良。电镀后的片式铁氧体产品的焊接可靠性得到保障。【附图说明】图1为片式铁氧体烧结后半成品示意图。图2为现有片式铁氧体产品上爬镀现象示意图。图3为本专利技术处理后铁氧体电感成品示意图。【具体实施方式】下面结合具体的实施方式说明本专利技术，本处列举的实施例仅是优选的实施例，和本专利技术实质相同的都在本专利技术的保护范围之内，也不应将本处实施例作为对本专利技术的限制。第一实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在880°c，保温300分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与60°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为50分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2次，然后在150°C烘干60分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在780°C烧结，保温10分钟。其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。第二实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在900°c，保温400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与70°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为70分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗3次，然后在180°C烘干90分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在800°C烧结，保温15分钟。其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。第三实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在880°c，保温330分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与62°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为55分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2次，然后在155°C烘干65分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在780°C烧结，保温12分钟。其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。第四实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在900°c，保温400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与68°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为65分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗3次，然后在170°C烘干85分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在800°C烧结，保温15分钟。其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。第五实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在890°C，保温350分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与65°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为60分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗3次，然后在165°C烘干70分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在790°C烧结，保温13分钟。`其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。第六实施例，，包括如下步骤: 1)将片式铁氧体烧在895°C，保温380分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与65°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为60分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗3次，然后在165°C烘干75分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在790°C烧结，保温13分钟。其中，步骤2)中所述镀膜液由纯净水、有机添加剂、水溶性高分子化合物和玻璃粉组成，其中水分和有机添加剂在120°C可烘干挥发，高分子化合物在350°C可分解燃烧，按照纯净水:有机添加剂:高分子化合物:陶瓷粉为10:1:2:10的比例制成的。将上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式铁氧体产品在电镀前的处理方法，其特征在于：1）将片式铁氧体烧在880℃?900℃，保温300?400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净；2）将1）中清洗干净的片式铁氧体与60℃?70℃的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为50?70分钟，进行镀膜处理；3）将2）中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2?3次，然后在150℃?180℃烘干60?90分钟；4）将3）中的片式铁氧体在780℃?800℃烧结，保温10?15分钟。

【技术特征摘要】
1.一种片式铁氧体产品在电镀前的处理方法，其特征在于: 1)将片式铁氧体烧在880°c-900°c，保温300-400分钟条件下烧结，烧结后进行倒角，清洗干净； 2)将I)中清洗干净的片式铁氧体与60°C-70°C的镀膜液按照体积比1:2混合浸泡，浸泡时间为50-70分钟，进行镀膜处理； 3)将2)中经过镀膜处理后的片式铁氧体放入纯进水中清洗2-3次，然后在150。。-180。。烘干 60-90 分钟； 4)将3)中的片式铁氧体在780°C_800°C烧结，保温10-15分钟。2.根据权利要求1所述的一种片式铁氧体产品在电镀前的处理方法，其特征在于:所述2)中镀膜液的温度是62°C _68°...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫，孙杰，李俊，梁启新，付迎华，赖定权，朱圆圆，马龙，齐治，张海恩，张美蓉，
申请(专利权)人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：