【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开一种带通滤波器，特别是一种新型5g ltcc带通滤波器，可用于5g移动通讯设施以及其他各种通讯设备中。
技术介绍
1、低温共烧陶瓷（low temperature co-fired ceramic，ltcc）作为一种适用范围很广的高密度封装技术，以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式。普遍应用于多层芯片电路模块化设计中。ltcc技术为基础设计和生产的射频微波元件和模块包括巴伦滤波器、滤波器、多工器、双工器、天线、耦合器、电桥、巴伦、接收前端模组、天线开关模组等。它除了在成本和集成封装等优势之外，在布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计的多样性及高频性能等方面都具有许多优点。随着现代电子设备向小型化、高频化方向不断发展，它们已经大量运用于小型化电子设备。
2、在移动通信领域，通讯产品功能越来越多，可用的频谱资源尤为重要，此时需要各种频段的滤波器来分离不同的信号。在通讯产品设计中，可以采用分立的电桥处理不同频段的输入信号，采用ltcc技术制作的5g ltcc带通滤波器具有高可靠性、低插损、高选择性、体积小、重量轻、易于集成、低成本等优点，适合大规模生产，可用以填补技术空白。
技术实现思路
1、针对上述提到的现有技术中的缺少5g ltcc带通滤波器的问题，本专利技术提供一种新型5g ltcc带通滤波器，该带通滤波器采用半集总、半传输线设计结构，采用ltcc技术，然后通过800℃~900℃左右低温共烧而成，可有效实现5g ltcc带
2、本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是：一种新型5g ltcc带通滤波器，滤波器包括ltcc陶瓷基体、设置在基体底部的产品焊盘和设置在基体内部的电路层，所述的基体内部的电路层呈叠层结构，电路层结构从下往上依次为：
3、第一层，在陶瓷介质基体上印制有六块相互绝缘金属平面导体，分别为第一金属平面导体、第二金属平面导体、第四金属平面导体、第五金属平面导体、第六金属平面导体和第二十四金属平面导体；
4、第二层，在陶瓷介质基板上印制有一块绝缘第三金属平面导体，第三金属平面导体通过第二连接点与第一金属平面导体连接，第三金属平面导体通过第七连接点和第八连接点与第二金属平面导体连接，第三金属平面导体通过第九连接点和第十连接点与第四金属平面导体连接，第三金属平面导体通过第一连接点与第六金属平面导体连接，第三金属平面导体通过第六连接点和第五连接点与第二十四金属平面导体连接，第三金属平面导体通过第四连接点和第三连接点与第五金属平面导体连接；
5、第三层，在陶瓷介质基板上印制有六块相互绝缘的金属平面导体，分别为第七金属平面导体、第八金属平面导体、第一第十一金属平面导体、第一第十二金属平面导体、第一第十三金属平面导体和第一第十四金属平面导体，其中，第七金属平面导体通过第二连接点与第一层的第一金属平面导体相连，第八金属平面导体通过第一连接点与第一层的第六金属平面导体相连；
6、第四层，在陶瓷介质基板上印制有两块相互绝缘金属平面导体，分别为第一第十金属平面导体和第一第九金属平面导体；
7、第五层，在陶瓷介质基板上印制有三块相互绝缘金属平面导体，分别为第一第十五金属平面导体、第十六金属平面导体和第二十三金属平面导体，其中，第二十三金属平面导体通过第十三连接点与第二层的金属基片相连接；
8、第六层，在陶瓷介质基板上印制有独立第十九金属平面导体；
9、第七层，在陶瓷介质基板上印刷有两块相互绝缘金属平面导体，两块相互绝缘金属平面导体均呈条形，分别为第十七金属平面导体和第十八金属平面导体，第十八金属平面导体一端通过第十一连接点与第四层中的第一第十金属平面导体连接，第十八金属平面导体另一端通过第十二连接点与第二层中的第三金属平面导体连接，第十七金属平面导体一端通过第二十连接点与第四层中的第一第九金属平面导体连接，第十七金属平面导体另一端通过第二十一连接点与第二层中的第三金属平面导体连接；
10、第九层，在陶瓷介质基板上印刷有三块相互绝缘金属平面导体，分别为第二十金属平面导体、第二十一金属平面导体和第二十二金属平面导体，三块金属平面导体平行设置，第二十金属平面导体一端通过第十四连接点与第三层中的第一第十一金属平面导体相连接，第二十金属平面导体另一端通过第十七连接点与第二层中的第三金属平面导体相连接，第二十一金属平面导体一端通过第十五连接点与第三层中的第一第十三金属平面导体相连接，第二十一金属平面导体另一端通过第十八连接点与第二层中的第三金属平面导体相连接，第二十二金属平面导体一端通过第十六连接点与第三层中的第一第十四金属平面导体相连接，第二十二金属平面导体另一端通过第十九连接点与第二层中的第三金属平面导体相连接。
11、本专利技术解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括：
12、所述的第九层上方还设置有第十层和/或第十一层，第十层和第十一层与第九层完全相同，且第九层、第十层和第十一层分别通过第十四连接点、第十五连接点、第十六连接点、第十七连接点、第十八连接点和第十九连接点相连接。
13、所述的第七层和第九层之间设置有第八层，第八层图案与第七层是相同的，第八层中的第十七金属平面导体和第十八金属平面导体两端分别通过连接点与第七层中的第十七金属平面导体和第十八金属平面导体连接。
14、所述的基体表面设置有小方块。
15、所述的基体是氧化铝和氧化硅构成。
16、本专利技术的有益效果是：本专利技术以ltcc（低温共烧陶瓷）技术为基础，采用半集总、半传输线且带有交叉耦合的五阶谐振结构设计，实现5g ltcc带通滤波器的特殊电性能要求。其中选择高介电陶瓷材料作为基体，实现产品的小型化；采用五阶谐振结构，并引入交叉耦合在特定频点有效引入传输零点有效增加带外抑制；且线圈采用三层重复结构设计，有效提高传输线q值降低产品插入损耗。本专利技术有效实现了5g ltcc带通滤波器的特性，且具有低损耗、小尺寸、高可靠性、低成本和适合于大规模的生产等优点，另外还适应了新的电子元件集成化、小型化的发展趋势。
17、下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明。
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1.一种新型5G LTCC带通滤波器，其特征是：所述的滤波器包括LTCC陶瓷基体（30）、设置在基体底部的产品焊盘和设置在基体内部的电路层，所述的基体（30）内部的电路层呈叠层结构，电路层结构从下往上依次为：
2.根据权利要求1所述的新型5G LTCC带通滤波器，其特征是：所述的第九层上方还设置有第十层和/或第十一层，第十层和第十一层与第九层完全相同，且第九层、第十层和第十一层分别通过第十四连接点（21a）、第十五连接点（21b）、第十六连接点（21c）、第十七连接点（21d）、第十八连接点（21e）和第十九连接点（21f）相连接。
3.根据权利要求1所述的新型5G LTCC带通滤波器，其特征是：所述的第七层和第九层之间设置有第八层，第八层图案与第七层是相同的，第八层中的第十七金属平面导体（22）和第十八金属平面导体（23）两端分别通过连接点与第七层中的第十七金属平面导体（22）和第十八金属平面导体（23）连接。
4.根据权利要求1所述的新型5G LTCC带通滤波器，其特征是：所述的基体（30）表面设置有小方块（31）。
5.根据权
...【技术特征摘要】
1.一种新型5g ltcc带通滤波器，其特征是：所述的滤波器包括ltcc陶瓷基体（30）、设置在基体底部的产品焊盘和设置在基体内部的电路层，所述的基体（30）内部的电路层呈叠层结构，电路层结构从下往上依次为：
2.根据权利要求1所述的新型5g ltcc带通滤波器，其特征是：所述的第九层上方还设置有第十层和/或第十一层，第十层和第十一层与第九层完全相同，且第九层、第十层和第十一层分别通过第十四连接点（21a）、第十五连接点（21b）、第十六连接点（21c）、第十七连接点（21d）、第十八连接点（21e）和第十九连接点（21f）相...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁启新，付迎华，陈亚伟，周志斌，陈志远，简丽勇，
申请(专利权)人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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