一种中温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子陶瓷技术领域，公开了一种低介低损耗的中温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明专利技术材料为BaWO4‑

【技术实现步骤摘要】
一种中温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子陶瓷
，更具体的涉及一种低介低损耗的中温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着通信技术的不断发展，世界进入5G时代，小型化、功能更强大、低成本是无线通讯设备发展的趋势。微波介质陶瓷是无线电通信设备中微波元器件的关键基础材料，广泛用于介质谐振器、滤波器、介质基片、微带天线等领域。
[0003]对于微波介质陶瓷材料来说，评价其性能的三个重要参数是相对介电常数ε
r
、品质因数Q
×
f和谐振频率温度系数τ
f
。其中，相对介电常数ε
r
通常用于表征介质材料的极化性质和介电性质。5G设备要求高频低延迟，而电磁波信号的传输速度与介电常数密切相关，ε
r
越小，信号传输延迟时间越短。因此，研究低介电常数(<10)微波材料对于5G产品具有重要意义。品质因数Q
×
f表示材料的选频特性，Q
×
f越高代表损耗tanδ越小，材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述的陶瓷材料由BaCO3、SiO2和WO3三种成分通过固相反应法合成，其化学通式为WO3‑
xSiO2‑
(1+2x/3)BaO，其中0＜x≤0.8mol；陶瓷材料烧结后的晶相包括有BaWO
4 和Ba2Si3O
8 两相，其烧结温度在1000℃～1150℃之间，其介电常数ε
r
在7～8.5之间，其介质损耗因数tand最低为1.7
×
10
‑4，其品质因素Q
×
f在10000GHz～72000GHz之间。2.根据权利要求1所述的一种中温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料中各组分的重量百分比如下：BaCO3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
38.5%～47.7%SiO2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8.2%～30.7%WO3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30.7%～44.7% 。3.一种中温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：步骤1：准备BaCO3、SiO2和WO3三种原始粉料，按照WO3‑
xSiO2‑
(1+2x/3)BaO，其中0＜x≤0.8mol的化学通式进行配置获得原...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚伟，周志斌，陈志远，梁启新，
申请(专利权)人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：