一种氧化钼钽靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种氧化钼钽靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)均匀混合三氧化钼粉与钽粉，得到混合料；(2)均匀混合粘结剂溶液与步骤(1)所得混合料，然后进行冷压；(3)冷压结束后进行无压烧结，得到所述氧化钼钽靶材。本发明专利技术提供的制备方法在混合料中添加粘结剂以增强颗粒之间的强度，而后通过冷压以及无压烧结相结合的方式，提高了所得氧化钼钽靶材的致密度，避免了氧化钼在高温下升华导致的致密度偏低的问题。华导致的致密度偏低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化钼钽靶材及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种靶材及其制备方法与应用，尤其涉及一种氧化钼钽靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]氧化钼层的光学反射低，无论是用于可靠地分离亚像素、理想覆盖导体轨道，还是用于防止令人困扰的环境光反射，氧化钼层都能胜任，因此氧化钼层在现代平面屏中有着广泛的应用。但随着平面显示器的大型化和高精度化，对材料的比阻抗、抗腐蚀性和热稳定性要求越来越高，而钽金属具有熔点高以及耐化学腐蚀性、耐高温性、导热性和导电性优异的特点，所以为了调整氧化钼层的刻蚀性和耐化学性，需要在氧化钼中掺杂钽元素，合成氧化钼钽靶材。
[0003]目前，制备氧化钼靶的方法包括烧结法，且温度一般在600℃以上。例如，CN104611673A公开了一种钼合金靶材的制备方法，其步骤为：(1)将钼粉与选自钛、铬、铌及钽族群中的至少一种金属元素与碳的粉末混合成均匀的合金粉；(2)将该合金粉添入加压容器中，在真空下降加压容器进行除气制程，并密封出气孔；(3)利用热等静压工艺加压、加温，并添加入氧气于该加压容器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化钼钽靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)均匀混合三氧化钼粉与钽粉，得到混合料；(2)均匀混合粘结剂溶液与步骤(1)所得混合料，然后进行冷压；(3)冷压结束后进行无压烧结，得到所述氧化钼钽靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述冷压的压力为20
‑
40MPa；优选地，步骤(2)所述冷压的保压时间为2
‑
5min。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述无压烧结的绝对压力≤50Pa。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述无压烧结的升温速率为2
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5℃/min；优选地，步骤(3)所述无压烧结的温度为550
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700℃；优选地，步骤(3)所述无压烧结的保温时间为8
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15h。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述粘结剂溶液包括聚乙烯醇溶液；...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，黄洁文，王学泽，吴东青，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：