基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法技术

本发明专利技术涉及本发明专利技术涉及一种基于L1范数模型的超大规模集成电路(VLSI)标准单元全局布局方法，属于VLSI物理设计自动化技术领域，该方法先把电路表示为超图，将采用半周长线长计算且密度约束为非光滑的VLSI标准单元全局布局问题建模为L1范数最小化问题，然后在聚类阶段采用适用于L1范数模型的修正的最优选择聚类算法对单元进行聚类，接着在析散阶段用非线性规划全局布局方法对聚类进行析散。该方法布局合理，高效实用，布局效果好。

【技术实现步骤摘要】
基于LI范数模型的VLSI标准单元全局布局方法
本专利技术涉及一种基于LI范数模型的超大规模集成电路(VLSI)标准单元全局布局方法，属于VLSI物理设计自动化
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技术介绍
在当前的VLSI布局中，集成电路规模的不断增大及工艺上的要求越来越高，对VLSI布局优化目标及优化方法提出了更高的要求，布局结果的好坏直接影响着整个芯片的性能。随着芯片上单元个数的快速增长，尤其是百万门级芯片的普遍应用，对VLSI布局设计自动化提出了巨大的挑战。因此，寻求更高效、更实用的集成电路布局算法具有重要的意义。用来解决VLSI布局问题的算法可分为以下三类:基于划分的布局方法、基于划分技术的方法和基于分析的布局方法。在这三类方向中，基于分析的布局方法取得的布局效果较好，因而成为当前主流布局工具所采用的方法。由于VLSI布局问题的规模很大，现有的基于解析的布局工具很难直接求解。在分析方法的VLSI布局算法中，主要分三个步骤处理:全局布局(global placement)、合法化布局(legalization)和详细布局(detailedplacement)。全局布局中，在允许有少数单元互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，该方法先把电路表示为超图，将采用半周长线长计算且密度约束为非光滑的VLSI标准单元全局布局问题建模为L1范数最小化问题，然后在聚类阶段采用适用于L1范数模型的修正的最优选择聚类算法对单元进行聚类，接着在析散阶段用非线性规划全局布局方法对聚类进行析散。

【技术特征摘要】
1.一种基于LI范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，该方法先把电路表示为超图，将采用半周长线长计算且密度约束为非光滑的VLSI标准单元全局布局问题建模为LI范数最小化问题，然后在聚类阶段采用适用于LI范数模型的修正的最优选择聚类算法对单元进行聚类，接着在析散阶段用非线性规划全局布局方法对聚类进行析散。2.根据权利要求1所述的基于LI范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)把电路表示为超图； (2)初始化级数:Ievel=O; (3)初始化优先队列，使每个聚类包含2-3个标准单元； (4)设置用来控制布局区域中bin个数的值:current；(5)level=level+l ； (6)用修正的最优选择聚类算法产生新的聚类，并生成该级的优先队列； (7)重复步骤(5广(6)，直到current大于优先队列中聚类数目的平方根； (8)用无约束二次规划方法初始化当前级优先队列中聚类的位置； (9)修改current的值； (10)用非线性规划全局布局方法求解优先队列中聚类或单元的位置； (11)析散该级的优先队列；(12)Ievel=Ievel-1 ； (13)重复步骤(%~(12)，直到level小于O。3.根据权利要求2所述的基于LI范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，所述步骤⑴的实现方式如下:把电路表示为超图模型炉{K4}，其中，K=Ik1^2,...，&}表示电路单元的集合，E^{ex, e2, ,en]表示线网集合；对于VLSI标准单元布局问题,布局区域是矩形薄板，左下角坐标为(0，0)，右上角为(F，功，对于单元~(i=l，2，...，/?)，记&为其宽度，A为其高度，&为其面积，(χ,,λ.)为其中心坐标，则采用半周长线长计算的总线长为:W{x, j) = T (mas I ^ -χ.I + max |乃—|) /in H ,V,- % ,V1 β?J 当一条线网e只连接两个单元时，线网e在X方向的半周长线长为: max IX1-X1-1=U-^l ⑵ 当一条线网e连接三个单元时，线网e在X方向的半周长线长为: I InajlJj-^l=...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱文兴，范更华，陈建利，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：