一种防过热开关调整模块电路制造技术

本发明专利技术涉及一种防过热开关调整模块电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1。与现有技术相比，本发明专利技术在电子仪器内部温度过高时，自动关闭端口的连接通路，且调整模块可以有效的对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。

【技术实现步骤摘要】
一种防过热开关调整模块电路
本专利技术涉及到一种用于保护开关的调整电路，特别是涉及一种防过热开关调整模块电路。
技术介绍
目前，在通信系统中，任何产品下行部分在进入功放前的变频处理时会产生的一些干扰，谐波均会对功放的安全造成影响，很容易出现功放烧毁的现象，且在市场上，很多电子器件也经常因为工作环境温度过高，从而导致烧坏，这样对使用者造成了很大的损失。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供了一种防过热开关调整模块电路，解决现有开关装置经常因温度过高而导致的损坏，且对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种防过热开关调整模块电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Q1的源极连接端口，其漏极连接可调电阻RP1的可调端，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RP1的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RP1的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的GND引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容C1的正极，所述电容C1的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片U1的VOUT引脚1、2，所述电源芯片U1的VIN引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片U1的NC引脚7和NC引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地。进一步的技术方案是，所述NMOS管Q1在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Q1的栅极电平，使得NMOS管Q1关闭，即断开了端口和可调电阻RP1之间的连接，具有防过热保护作用。与现有技术相比，本专利技术在电子仪器内部温度过高时，自动关闭端口的连接通路，且调整模块可以有效的对输入电器进行保护，结构简单，安全性高，实用性好。附图说明图1为本专利技术一种防过热开关调整模块电路图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种防过热开关调整模块电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Q1的源极连接端口，其漏极连接可调电阻RP1的可调端，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RP1的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RP1的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的GND引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容C1的正极，所述电容C1的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片U1的VOUT引脚1、2，所述电源芯片U1的VIN引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片U1的NC引脚7和NC引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地。当该电路连接端口且电源输入+9V时，NMOS管Q1在温度适当的情况下时，源极和漏极之间为导通状态，此时电压调整模块对下行系统完成供电，开启功放模块，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Q1的栅极电平，使得NMOS管Q1关闭，即断开了端口和可变调电阻RP1之间的连接，具有防过热保护作用，而调整模块无法完成供电，从而起到保护电路的作用。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防过热开关调整模块电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Q1的源极连接端口，NMOS管Q1的漏极连接可调电阻RP1的可调端，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RP1的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RP1的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R4的另一端分别连接三极管Q2、Q3的发射极，所述电阻R5的另一端连接电阻R6的另一端和电阻R7的一端，并均连接电容C1的正极，所述电容C1的负极接地，所述电阻R7的另一端分别连接电源芯片U1的引脚1、2，所述电源芯片U1的引脚8连接电阻R8的一端，电源芯片U1的引脚7和引脚6连接，所述电阻R8的另一端连接9伏电源，所述电容C2正极接9伏电源且负极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种防过热开关调整模块电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、可调电阻RP1、NMOS管Q1、三极管Q2、Q3、电容C1、C2和电源芯片U1，所述NMOS管Q1的源极连接端口，NMOS管Q1的漏极连接可调电阻RP1的可调端，NMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端和基准电源VGND，电阻R1的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，所述可调电阻RP1的一个固定端连接电阻R2的一端，可调电阻RP1的另一个固定端连接电阻R5的一端，所述电阻R2的另一端分别连接电阻R3的一端、电阻R6的一端、三极管Q3的集电极和电源芯片的GND引脚3、4，所述电阻R3的另一端连接电阻R4的一端和三极管Q3的基极，所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泰武，李文礼，彭应光，万文华，
申请(专利权)人：桂林机床电器有限公司，
类型：发明
国别省市：