【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
防过热开关电路，其特征在于，包括NMOS管Q1和三极管Q2，所述的NMOS管Q1的源极连接端口，其漏极连接内部电路，且NMOS管Q1的栅极连接到三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极接地，所述的NMOS管Q1的栅极和三极管Q2的基极都连接到一个基准电源上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任佳，
申请(专利权)人：成都锐奕信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。