一种激光切割硅片的方法技术

本发明专利技术公开了一种激光切割硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将硅片贴在蓝膜上；S2：贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度，制得待切割工件；S3：将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割，同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂，制得干净的硅片。防止切割过程中硅片和蓝膜的脱落，加强润滑度，提供最佳冷却效果，清除切割时产生的颗粒残留、硅粉，制得干净的硅片，后续步骤中无需对硅片进行清理操作，提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能光伏电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。目前，在切割硅片时，硅片激光切割机利用高能激光束照射在硅片表面，使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片切割的目的。因激光是经专用光学系统聚焦后成为一个非常小的光点，能量密度高，因其加工是非接触式的，对硅片本身无机械冲压力，硅片不易变形。热影响极小，划片切割精度高，但在切割的过程中会产生大量的硅粉，这些硅粉残留在硅片上会对硅片造成污染，在后续的加工过程中还需要额外的工序来清洁处理，影响工作效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供，在切割的过程中对切割产生的硅粉及时清理掉，切割完成后无需对硅片进行清洁，提高工作效率。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现: ，其特征在于，包括以下步骤: S1:将硅片贴在蓝膜上； 52:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度，制得待切割工件； 53:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割，同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂，制得干净的硅片。优选的，工业清洗剂中还包括工业润滑剂，由于贴片后进行烘烤，增强了蓝膜和硅片的牢固度，防止切割过程中硅片和蓝膜的脱落，另外在切割的同时还喷射冷却水和工业清洗剂，可以及时清理掉切割时产生的颗粒残留、硅粉，制得干净的硅片，后续步骤中无需对硅片进行清理操作，提高了工作效率。本专利技术的有益效果是:防止切割过程中硅片和蓝膜的脱落，加强润滑度，提供最佳冷却效果，清除切割时产生的颗粒残留、硅粉，制得干净的硅片，后续步骤中无需对硅片进行清理操作，提高了工作效率。【具体实施方式】下面结合具体的实施例对本专利技术技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。，包括以下步骤: S1:将硅片贴在蓝膜上； 52:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度，制得待切割工件； 53:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割，同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂，制得干净的硅片。其中硅片厚度在200-400微米之间。优选的，在步骤S3中，工业清洗剂中还包括工业润滑剂，可以加强润滑度。优选的，在步骤SI和S2之间还包括步骤S4:检查硅片和蓝膜之间是否有气泡，如果没有气泡，进入步骤S2，如果有气泡，还需要重新挤掉气泡后方可进入步骤S2中。由于贴片后进行烘烤，增强了蓝膜和硅片的牢固度，防止切割过程中硅片和蓝膜的脱落，另外在切割的同时还喷射冷却水和工业清洗剂，可以及时清理掉切割时产生的颗粒残留、硅粉，制得干净的硅片，后续步骤中无需对硅片进行清理操作，提高了工作效率。以上仅为本专利技术的优选实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或者等效流程变换，或者直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光切割硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将硅片贴在蓝膜上；S2：贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度，制得待切割工件；S3：将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割，同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂，制得干净的硅片。

【技术特征摘要】
1.一种激光切割硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤: S1:将硅片贴在蓝膜上； 52:贴片后进行烘烤加强蓝膜和硅片的牢固度，制得待切割工件； 53:将待切割工件固定在硅片激光切割机上进行切割，同时切割刀旁边的喷嘴向切割点区域喷射冷却水和工业清洗剂，制得干净的硅片。2.根据权利要求1所述的一种激光切割硅片的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔金彪，
申请(专利权)人：苏州斯尔特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：