倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于电致发光器件领域，其公开了一种倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法；该器件包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、第一电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；辅助电子传输层的材质为噻吩类聚合物按照质量百分比1~5%的比例掺杂到4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成的掺杂混合材料。本发明专利技术提供的倒置底发射有机电致发光器件，可以避免激子与金属电极表面等离子激元波现象的产生，同时增强光的散射，增强器件的正面发光强度，大大提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件，尤其涉及一种。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。在传统的发光器件中，一般是制备一层电子传输层来提高电子的传输速率，再制备一层电子注入层来提高电子的注入效率，而电子的传输速率通常比空穴的传输速率要低两三个数量级，因此，通常都是将电子传输层进行η掺杂，也即是将电子传输层进行金属掺杂，如Cs盐掺杂到Bphen中，Li盐掺杂到TPBi中，来提高电子传输速率，这种方法采用较多，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、第一电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；所述辅助电子传输层的材质为噻吩类聚合物按照质量百分比1~5%的比例掺杂到4,7?二苯基?1,10?菲罗啉、1,2,4?三唑衍生物或N?芳基苯并咪唑中形成的掺杂混合材料；所述辅助电子传输层的厚度为10~200nm。

【技术特征摘要】
1.一种倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阴极基底、辅助电子传输层、第一电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；所述辅助电子传输层的材质为噻吩类聚合物按照质量百分比广5%的比例掺杂到4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中形成的掺杂混合材料；所述辅助电子传输层的厚度为10?200nm。2.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述噻吩类聚合物为聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩或聚12-烷基噻吩。3.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极基底为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃。4.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述第一电子传输层厚度为40-80nm。5.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-联苯或8-羟基喹啉铝；所述发光层的厚度为5-40nm。6.根据权利要求1所述的倒置底发射有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1，1_ 二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：