记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟制造技术

技术编号:9668993 阅读:126 留言:0更新日期:2014-02-14 08:17
本发明专利技术提供一种记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟。尤其是提供一种包含(CuaSib)xM1-x合金的合金靶材、记录层、光记录媒体与包含其的蓝光光碟,以解决传统双记录层的相转变温度过高而限制光记录媒体的烧录速度或劣化其记录品质等问题。所述的抗腐蚀性元素(M)可避免铜金属发生氧化作用,并使(CuaSib)xM1-x合金的相转变温度介于150℃至425℃,而发展成一种适合用于光记录媒体的记录层的合金材料。据此,本发明专利技术包括(CuaSib)xM1-x合金的蓝光光碟可同时兼具高稳定性与可供高倍速烧录的优点。

【技术实现步骤摘要】
记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟
本专利技术关于一种记录层用的合金靶材、记录层及光记录媒体,尤指一种含有抗腐蚀性元素的合金靶材、记录层及光记录媒体。此外,本专利技术亦关于一种包括前述记录层的单次写入型蓝光光碟。
技术介绍
蓝光光碟(Blu-rayDisc)因为使用波长为405nm的蓝色激光进行数据读写工作而命名,其为数据储存媒体下一代光碟规格,目前已被广泛地应用于储存高容量的数据或高画质的影音文件。蓝光光碟中,Cu/Si系统的单次写入型蓝光光碟利用金属诱发晶格化相转变机制(metalinducedcrystallizationphasechangemechanism),使非晶质硅可在较低的相转变温度下,通过铜金属诱发非晶质硅形成结晶,而提升记录层对蓝色激光的即时反射率(in-situreflectivity),完成数据记录的工作。于现有技术的Cu/Si系统单次写入型光记录媒体中,常见层状结构依序包括有基板、反射层、第一介电层、双记录层、第二介电层及保护层。其中,该双记录层是由一铜层及一非晶质硅层所组成。由于现有技术的双记录层的相转变温度过高(约500℃),必须提高蓝光光碟的写入功率(至少8mW),使其于双记录层表面产生较高的温度,才能顺利进行相转变,进而完成数据记录的工作,且提高蓝光光碟的写入功率会提高光记录媒体的烧录成本。为克服前述问题,目前已有许多人试图改良现有技术的光记录媒体中双记录层的材料,利用铜硅合金取代原有的铜层,由于铜硅合金溅射于非晶质硅层上会与非晶质硅层反应而产生Cu3Si的结晶相,因而能够于较低的温度下形成结晶。然而,铜硅合金的相转变温度太低导致铜金属很容易发生自发反应与氧化作用,反而会劣化光记录媒体的记录品质。
技术实现思路
为克服现有技术所面临的问题,本专利技术的主要目的在于设计一种适合作为光记录媒体的记录层的合金材料,其可具有适当的相转变温度,藉此提升光记录媒体的烧录速度与记录品质。为达成前述目的,本专利技术提供一种记录层用的合金靶材,其是由(CuaSib)xM1-x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,a是介于0.65至0.75之间,b是介于0.25至0.35之间,且X是介于0.9至0.99之间。较佳的,该合金靶材的基底相(basephase)是铜硅合金,且该合金靶材的化合物相(compoundphase)是硅镍合金、硅铬合金、硅钼合金或硅钛合金。较佳的,该合金靶材是使用粉末冶金法或熔炼法所制得。为达成前述目的,本专利技术另提供一种光记录媒体用的记录层,其是由(CuaSib)xM1-x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,a是介于0.65至0.75之间,b是介于0.25至0.35之间,且X是介于0.9至0.99之间。于本专利技术光记录媒体用的记录层中,利用铜硅共晶点的成分(Cu3Si)可提升记录层受激光照射而发生相转变的速率,并且同时降低记录层由非结晶态转变为结晶态的相转变温度。于此,所述的M是一种抗腐蚀性元素,其可用以防止铜金属发生氧化作用,并使(CuaSib)xM1-x合金的相转变温度介于150℃至425℃,以适合作为高倍速光记录媒体的记录层的合金材料。较佳的,所述的记录层可由前述合金靶材所溅射而成。为达成前述目的,本专利技术又提供一种光记录媒体,包括:一基板;一反射层,其是设置于该基板上;一第一介电层,其是设置于该反射层上;一双记录层,其是设置于该第一介电层上,其中该双记录层包括一非晶质硅层及一合金材料层,且该合金材料层是由(CuaSib)xM1-x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,a是介于0.65至0.75之间、b是介于0.25至0.35之间,且X是介于0.9至0.99之间;一第二介电层,其是设置于该双记录层上;以及一保护层,其是设置于该第二介电层上。于此,所述的双纪录层中的非晶质硅层与合金材料层可上下置换。于本专利技术光记录媒体的一实施态样中,该非晶质硅层可设置于该第一介电层上,且该合金材料层可设置于该非晶质硅层与该第二介电层之间。或者,于本专利技术光记录媒体的另一实施态样中,该合金材料层可设置于该第一介电层上,且该非晶质硅层可设置于该合金材料层与该第二介电层之间。较佳的,所述的基板可为PC基板。较佳的,所述的反射层可为纯银金属、银合金、纯金金属、金合金、铝合金或铜合金。较佳的,所述的第一介电层及第二介电层可为硫化锌(ZnS)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氮化锗(Ge3N4)、氮化钛(Ti3N4)或氧化钇(Y2O3)。较佳的,该保护层可为二氧化铈-三氧化二铝(CeO2-Al2O3)、锗铬合金(GeCr)、二氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)。较佳的,所述的双记录层的厚度可介于5nm至30nm。较佳的,该合金材料层的厚度可介于2nm至30nm之间。较佳的,该反射层的厚度是80nm至120nm之间。较佳的,该反射层、第一介电层、双记录层、第二介电层及保护层的厚度总合是介于10mm至200mm之间。为达成前述目的,本专利技术再提供一种蓝光光碟,其是包括如前述的光记录媒体用的记录层。较佳的,所述的蓝光光碟可具有如同前述光记录媒体的层状结构。较佳的,所述的蓝光光碟是一种单次写入型蓝光光碟。较佳的,所述的蓝光光碟的烧录速度可达6X(216Mbit/s)以上。综上所述,本专利技术设计一种相转变温度介于150℃至425℃的(CuaSib)xM1-x合金材料,以此(CuaSib)xM1-x合金材料作为光记录媒体的记录层的材料可使光记录媒体不会在低温下发生发生自发反应与氧化作用,又可于高倍烧录速度(短接触时间)下经由蓝色激光快速发生相转变,成为一种具高稳定性又可供高倍速烧录的光记录媒体的记录层材料。附图说明图1是本专利技术实施例2的(Cu0.7Si0.3)0.95Ni0.05合金靶材的金相图。图2是本专利技术实施例6的(Cu0.7Si0.3)0.98Cr0.02合金靶材的金相图。图3是本专利技术一实施态样的光记录媒体的层状结构示意图。图4是本专利技术另一实施态样的光记录媒体的层状结构示意图。图5是实施例2、4、6及比较例2的光记录媒体于不同温度下的即时反射率结果图。附图标号:1基板2反射层3第一介电层4双记录层41合金材料层42非晶质硅层5第二介电层6保护层具体实施方式以下,将通过具体实施例说明本专利技术的实施方式,本领域技术人员可经由本说明书的内容轻易地了解本专利技术所能达成的优点与功效,并且于不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更,以施行或应用本专利技术的内容。首先,说明本专利技术的制作步骤:1.制作记录层用的合金靶材a.实施例1:(Cu0.65Si0.35)0.95Ni0.05合金靶材将848.5g的铜粉、201.9g的硅粉与63.5g的镍粉均匀混合,于温度介于600-800℃且压力约500bar的条件下,持续热压3小时,制得(Cu0.65Si0.35)0.95Ni0.05合金靶材。其中,铜含量是占整体(Cu0.65Si0.35)0.95Ni0.05合金的61.75at%,硅含量是占整体整体(Cu0.65Si0本文档来自技高网
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记录层用的合金靶材、记录层、光记录媒体及蓝光光碟

【技术保护点】
一种记录层用的合金靶材,其特征在于,其是由(CuaSib)xM1?x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,X是介于0.9至0.99之间,a是介于0.65至0.75之间,b是介于0.25至0.35之间。

【技术特征摘要】
1.一种记录层用的合金靶材,其特征在于,其是由(CuaSib)xM1-x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,X是介于0.9至0.99之间,a是介于0.65至0.75之间,b是介于0.25至0.35之间。2.一种光记录媒体用的记录层,其特征在于,其是由(CuaSib)xM1-x合金所组成,其中M是镍、铬、钼或钛,X是介于0.9至0.99之间,a是介于0.65至0.75之间,b是介于0.25至0.35之间。3.如权利要求2所述的光记录媒体用的记录层,其特征在于,所述记录层是由如权利要求1所述的合金靶材所溅射而成。4.一种光记录媒体,其特征在于,所述光记录媒体包括:一基板;一反射层,其是设置于所述基板上;一第一介电层,其是设置于所述反射层上;一双记录层,其是设置于所述第一介电层上,其中所述双记录层包括一非晶质硅层及一合金材料层,且所述合金材料层是由(C...

【专利技术属性】
技术研发人员:麦宏全罗尚贤廖浩嘉薛永浚林守贤
申请(专利权)人:光洋应用材料科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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