【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，可以对IC制造中所涉及纳米结构的结构参数和粗糙度特征参数进行非接触、非破坏的测量。首先，通过仿真分析的手段，选出最优测量配置与最优等效介质模型；其次，将上述仿真结果运用于实际纳米结构的测量，包括：在最优测量配置下，对实际纳米结构进行光学散射测量，获得测量光谱；运用基于最优等效介质模型的参数提取算法，对测量光谱进行分析，获得提取参数的数值；通过提取参数与待测参数间稳定性最佳的映射关系式对提取参数进行映射，获得待测参数的数值。【专利说明】
本专利技术属于光学测量
，更具体地，涉及一种光学测量中粗糙纳米结构的结构参数和粗糙度特征参数的测量方法。
技术介绍
近年来，随着光学光刻工艺及其分辨率增强技术的不断进步和发展，基于图形转移的批量化制造方法已使得传统的极大规模集成电路(IC)从微米量级突破到纳米量级，并可望将关键尺寸(Critical Dimension,⑶)沿拓至45nm以下，因此,⑶的精确控制对于IC的性能影响很大。然而，在IC制造过程中，CD可能会受到各种随机影响而不可避免的存在粗糙度，且粗糙度并未呈现出随CD...
【技术保护点】
一种光学散射测量中粗糙纳米结构特性参数的测量方法，用于对IC制造中所涉及纳米结构的结构参数和粗糙度特征参数进行非接触、非破坏的测量，所述方法包括以下步骤：步骤102，根据工艺条件确定纳米结构的特性参数及其变化范围，其中，特性参数包括结构参数和粗糙度特征参数；步骤104，生成仿真纳米结构；步骤106，基于所述仿真纳米结构，运用严格建模方法计算理论光谱；步骤108，运用基于等效建模方法的参数提取算法，针对理论光谱进行参数提取，其中，所述等效建模方法使用等效介质近似（EMA）模型，将所述仿真纳米结构的粗糙边界等效为一层薄膜；步骤110，建立所述仿真纳米结构的待测参数与提取参数间的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，石雅婷，陈修国，张传维，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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