一种单基质LED荧光粉制备方法技术

本发明专利技术涉及一种单基质LED荧光粉制备方法，包括如下步骤，将SrCO3、MgO、BaCO3、(NH4)2HPO4、Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，取出研磨获得单基质LED荧光粉BaSrMg（PO4）2:Eu2+。本发明专利技术制备方法简单易操作，成本低廉，并且所获得单基质LED荧光粉稳定性较好，发光率较高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种单基质LED荧光粉制备方法，包括如下步骤，将SrCO3、MgO、BaCO3、(NH4)2HPO4、Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，取出研磨获得单基质LED荧光粉BaSrMg（PO4）2:Eu2+。本专利技术制备方法简单易操作，成本低廉，并且所获得单基质LED荧光粉稳定性较好，发光率较高。【专利说明】一种单基质LED荧光粉制备方法
本专利技术涉及本专利技术涉及发光材料
，尤其涉及一种单基质LED荧光粉制备方法。
技术介绍
白光LED作为一种新型的同体光源，以其节能、环保、寿命长、体积小等优异特性在图像显示、信号指示、照明等方面有着极为广阔的应用前景。目前，通常利用蓝光InGaN管芯泵浦YAG:Ce3+黄光突光粉,来实现白光LED。然而，由于这种方式合成的白光是由突光粉的黄色荧光与LED的蓝光混合而成，器件的发光颜色随驱动电压和荧光体涂层厚度的变化而变化，色彩还原性差，显色指数低且不耐高温。为解决上述问题，人们尝试采用紫外一近紫外(350~410nm) InGaN管芯激发红绿蓝三基色荧光粉实现白LED。然而，由于混合荧光粉之间存在颜色再吸收和配比调控问题，使得荧光粉的流明效率和色彩还原性受到较大影响。单一基质白光荧光粉作为新型荧光粉材料，由于颜色稳定，色彩还原性好等优点已成为研究热点，但其发光效率还相对较低，因此研制适合近紫外激发的高效单一基质白光荧光粉具有十分重要的意义。Kim报道了 Ba3MgSi2O8:Eu2+，Mn2+和Sr3MgSi2O8:Eu2+，Mn2+等一系列适于近紫外光激发的单一基质白光荧光粉；随后M2MgSi2O7:Eu, Dy (M=Ca, Sr), Ca2MgSi2O7:Eu2+, Mn2+等单一基质突光粉被报道(Chang C K, Chen T M, Appl.Phys.1ett.2007,90:161901)，渴望弥补混合荧光粉的不足，但此类硅酸盐基质荧光粉合成温度依然较高，发光效率尚未达到实际应用价值。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种单基质LED荧光粉制备方法。`本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种单基质LED荧光粉制备方法，包括如下步骤:将SrCO3> Mg。、BaCO3> (NH4) 2HP04、Eu2O3 按照质量比为 1:1:1:1:1 ~1: 1: 1:2:1 放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，烧结之后取出研磨获得单基质LED荧光粉BaSrMg(PO4)2: Eu2+。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述将SrC03、MgO> BaCO3> (NH4) 2HP04、Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体步骤中，所述原料 SrC03、MgO、BaCO3> (NH4)2HPO4, Eu2O3 纯度为:SrC03 (97%)，MgO(99.55%), BaCO3 (99%)，(NH4) 2ΗΡ04 (99%)，Eu2O3 (99.99%)。进一步，所述将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结步骤中，所述马弗炉以10~15°C.mirT1的速度升温至800~900°C，恒温保持2~3h。所述活性炭提供的还原气氛是指活性炭在高分下反应产生的CO气体，具有较强还原性。进一步，所述研磨之后再次放入马弗炉烧结，烧结之后取出研磨获得单基质LED荧光粉BaSrMg (PO4)2:Eu2+步骤中，所述马弗炉以10~15°C.mirT1的速度升温至1000~1300°C，恒温保持2~3h。本专利技术的有益效果是:本专利技术制备方法简单易操作，成本低廉，并且所获得单基质LED荧光粉稳定性较好，发光率较高。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术一种单基质LED荧光粉制备方法流程图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，一种单基质LED荧光粉制备方法，包括如下步骤:将SrCO3、MgO、BaCO3、(NH4) 2HP04、Eu2O3 按照质量比为 1:1:1:1:1 ~1: 1: 1:2:1 放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结； 将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，烧结之后取出研磨获得单基质LED荧光粉BaSrMg(PO4)2: Eu2+。实施例1:制备IOg单基质 LED 荧光粉BaSrMg(PO4)2 = Eu2+JflOg SrCO3UOg MgOUOg BaCO3>IOg(NH4)2HPO4UOg Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中，马弗炉以10°C.mirT1的速度升温至800°C，恒温保持2h烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，马弗炉以10°C.mirT1的速度升温至1000°C，恒温保持2h，烧结之后取出研磨获得单基质LED荧光粉 BaSrMg (PO4)2:Eu2+。实施例2:制备IOg单基质 LED 荧光粉BaSrMg(PO4)2 = Eu2+JflOg SrCO3UOg MgOUOg BaCO3>15g(NH4)2HPO4UOg Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中，马弗炉以12°C.mirT1的速度升温至850°C，恒温保持2.5h烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，马弗炉以12°C ^mirT1的速度升温至1200°C，恒温保持2.5h，烧结之后取出研磨获得单基质LED 荧光粉 BaSrMg (PO4)2:Eu2+。实施例3:制备IOg单基质 LED 荧光粉BaSrMg(PO4)2 = Eu2+JflOg SrCO3UOg MgOUOg BaCO3>20g(NH4)2HPO4UOg Eu2O3放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中，马弗炉以15°C.min-1的速度升温至900°C，恒温保持3h烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，马弗炉以15°C.min-1的速度升温至1300°C，恒温保持3h，烧结之后取出研磨获得单基质LED荧光粉 BaSrMg (PO4)2:Eu2+。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换`、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种单基质LED荧光粉制备方法，其特征在于，包括如下步骤:将 SrCO3> Mg。、BaCO3> (NH4) 2HP04、Eu2O3 按照质量比为 1:1:1:1:1 ~1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单基质LED荧光粉制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将SrCO3、MgO、BaCO3、(NH4)2HPO4、Eu2O3按照质量比为1:1:1:1:1～1:1:1:2:1放入玛瑙研钵中研磨均匀得到前驱体；将所得前驱体置于刚玉坩埚中，在活性炭提供的还原气氛下放入马弗炉中烧结；将烧结之后的样品取出研磨；研磨之后再次放入马弗炉烧结，烧结之后将样品取出研磨,获得单基质LED荧光粉BaSrMg（PO4）2:Eu2+。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韦胜国，
申请(专利权)人：韦胜国，
类型：发明
国别省市：