立方氮化硼晶体、包含其的本体以及包含其的工具制造技术

一种包含氯化物盐化合物的立方氮化硼（cBN）晶体或多个晶体，所述氯化物盐化合物包括碱金属或碱土金属。例如，所述氯化物盐化合物可以选自氯化钾、氯化镁、氯化锂、氯化钙或氯化钠。所述晶体或多个晶体可以具有相对粗糙的表面结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】立方氮化硼晶体、包含其的本体以及包含其的工具本专利公开总体上涉及立方氮化硼晶体、包含所述立方氮化硼晶体的本体(body)，特别是但并不限于包含聚晶立方氮化硼材料(包括所述立方氮化硼晶体)的本体，以及包含该立方氮化硼晶体的工具，特别是但并不限于磨削工具(grinding tool)。美国专利号US 3，881，890公开了在其中纳入磷的立方氮化硼晶体。与含磷化合物以及其它方面一起，还公开了在合成cBN材料的过程中使用氯化铵作为矿化剂。Sulzhenko 和 Sokolov (Sulzhenko, A.A.和 A.N.Sokolov (1999) “The effectof chemical composition of a crystallisation medium on stoichiometry of cBNcrystals”，Journal of Superhard Materials,第 21 卷，第 4 期，第 36 至 39 页)公开了在NH4Cl (氯化铵)存在时cBN晶体的生长产生了具有高的晶体结构完美程度的强固晶体，其具有完美的晶体习性以及无可见夹杂物的镜面镜面(fa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立方氮化硼（cBN）晶体，其含有氯化物盐化合物，所述氯化物盐化合物包括碱金属或碱土金属。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.30 GB 1105381.6;2011.03.30 US 61/469,5461.一种立方氮化硼(cBN)晶体，其含有氯化物盐化合物，所述氯化物盐化合物包括碱金属或碱土金属。2.根据权利要求1所述的cBN晶体，其中碱金属或碱土金属的含量为该cBN晶体的至少百万分之10 (ppm)且至多100，OOOppm。3.根据权利要求1或权利要求2所述的cBN晶体，其中所述氯化物盐化合物选自氯化钾、氯化镁、氯化锂、氯化钙或氯化钠。4.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其中所述氯化物盐化合物选自氯化钾或氯化镁。5.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其包含B203。6.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其不含包括钛的化合物。7.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其中所述氯化物盐化合物存在于分散在cBN晶体内的夹杂物中。8.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其中所述氯化物盐作为具有至多4微米平均尺寸的分散夹杂物存在。9.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，所述cBN晶体在30/50的美国筛孔尺寸区段内并且含有至少5个且至多20个夹杂物。10.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其含有至少半数为伸长的夹杂物，具有至少1.5的纵横比。11.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其含有各自体积为至少300立方微米且至多60，000立方微米的夹杂物。12.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其含有至少半数具有至多10，000立方微米体积的夹杂物。13.根据前述权利要求中任一项所述的cBN晶体，其含有各自密度为至少0.5克/立方厘米且至多3克/立方厘...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·汉纳索约，
申请(专利权)人：六号元素有限公司，
类型：
国别省市：