用于电子标签的整流器制造技术

本发明专利技术公开了用于电子标签的整流器，包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，其中，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极连接，第一MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体管漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地，第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路上连接有电源。采用上述结构，可将输出电压由两个阈值电压降减小为一个阈值电压降，进而能减小系统电源电压波动。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了用于电子标签的整流器，包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，其中，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极连接，第一MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体管漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地，第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路上连接有电源。采用上述结构，可将输出电压由两个阈值电压降减小为一个阈值电压降，进而能减小系统电源电压波动。【专利说明】用于电子标签的整流器
本专利技术涉及射频
，具体是用于电子标签的整流器。
技术介绍
射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一，其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点，因此被广泛应用于各个领域。射频识别系统主要包括阅读器和电子标签，阅读器发射接收天线耦合过来的是交流信号，在获取内部电源前必须对其进行整流，即将交流信号转换为直流信号。现今人们主要用MOS晶体管实现整流电路，由于MOS晶体管形成的单向导通电路的压降不仅与其阈值电压有关，同时随流过它的电流呈线性平方根增长，因此会导致在MOS管上的压降不是一个定值，在电源所能提供的功率是一个常量时，这就导致内部负载电流变化时系统电源电压产生波动。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了在内部负载电流变化时能减小系统电源电压波动的用于电子标签的整流器。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现:用于电子标签的整流器，包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和第二 MOS晶体管均为二极管连接的MOS管，第一 MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二 MOS晶体管漏极连接，第一 MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体管漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地；所述第一 MOS晶体管源极与第四MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线，所述第二 MOS晶体管源极与第三MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线，所述第一 MOS晶体管漏极和第二 MOS晶体管漏极之间的线路上连接有电源。用于电子标签的整流器，还包括第一电容、第二电容及第一电阻，所述第二电容与第一电阻串联后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第一电阻的一端与第一MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述电源连接在第一电阻与第二电容之间的线路上。本专利技术中第一电容、第二电容及第一电阻整体构成一个带通滤波器，通过该带通滤波器能使电源更加稳定。因为电子标签经常要承受电感谐振网络产生的高压信号的冲击，出于耐压考虑，作为优选，所述第一 MOS晶体管、第二 MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管均为N沟道增强型场效应管。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果:本专利技术包括第一 MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及第四MOS晶体管，其中，第一MOS晶体管的源极和漏极分别与第四MOS晶体管漏极和第二 MOS晶体管漏极连接，第一 MOS晶体管栅极与第三MOS晶体管栅极连接，第二 MOS晶体管源极和栅极分别与第三MOS晶体漏极和第四MOS晶体管栅极连接，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管两者的源极均接地，第一 MOS晶体管源极与第四MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线，第二 MOS晶体管源极与第三MOS晶体管漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线，本专利技术采用上述结构，整体结构简单，便于实现，本专利技术中第一 MOS晶体管和第二 MOS晶体管采用二极管的连接方法，第三MOS晶体管和第四MOS晶体管采取交叉开关的连接结构，因为第一射频信号输入线和第二射频信号输入线具有对称性，本专利技术中第一 MOS晶体管和第三MOS晶体管导通时第二 MOS晶体管和第四MOS晶体管关断，而第一 MOS晶体管和第三MOS晶体管关断时第二 MOS晶体管和第四MOS晶体管导通，如此，本专利技术可将输出电压由两个阈值电压降减小为一个阈值电压降，进而在内部负载电流变化时能减小系统电源电压波动。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为:N1—第一 MOS晶体管，N2—第二 MOS晶体管，N3—第三MOS晶体管，N4—第四MOS晶体管，RFl—第一射频信号输入线，RF2—第二射频信号输入线，Cl一第一电容，C2一第二电容，Rl一第一电阻，VHDl一电源。【具体实施方式】下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例: 如图1所示，用于电子标签的整流器，包括与电子标签内其它部件共同的外壳，以及设置在外壳内的内部电路，其中，内部电路第一 MOS晶体管N1、第二 MOS晶体管N2、第三MOS晶体管N3、第四MOS晶体管N4、第一电容Cl、第二电容C2及第一电阻Rl。第一 MOS晶体管N1、第二 MOS晶体管N2、第三MOS晶体管N3及第四MOS晶体管N4均为N沟道增强型场效应管。第一 MOS晶体管NI和第二 MOS晶体管N2均为二极管连接的MOS管，具体为第一 MOS晶体管NI的栅极与其源极连接，第二 MOS晶体管N2的栅极与其源极连接。第一 MOS晶体管NI的源极与第四MOS晶体管N4漏极连接，第一 MOS晶体管NI的漏极与第二 MOS晶体管N2漏极连接，第一 MOS晶体管NI栅极与第三MOS晶体管N3栅极连接，第二 MOS晶体管N2源极和栅极分别与第三MOS晶体N3漏极和第四MOS晶体管N4栅极连接，第三MOS晶体管N3和第四MOS晶体管N4两者的源极均接地。第一 MOS晶体管NI源极与第四MOS晶体管N4漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线RF1，第二 MOS晶体管N2源极与第三MOS晶体管N3漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线RF2，第一 MOS晶体管NI漏极和第二 MOS晶体管N2漏极之间的线路上连接有电源VHD1。第二电容C2与第一电阻Rl串联后与第一电容Cl并联构成串并联线路，该串并联线路设有第一电阻Rl的一端与第一 MOS晶体管NI漏极和第二 MOS晶体管N2漏极之间的线路连接，其另一端接地，电源VHDl连接在第一电阻Rl与第二电容C2之间的线路上。如上所述，则能很好的实现本专利技术。【权利要求】1.用于电子标签的整流器，其特征在于:包括第一MOS晶体管(NI)、第二 MOS晶体管(N2 )、第三MOS晶体管(N3 )及第四MOS晶体管(N4 )，所述第一 MOS晶体管(NI)和第二 MOS晶体管(N2)均为二极管连接的MOS管，第一 MOS晶体管(NI)的源极和漏极分别与第四MOS晶体管(N4)漏极和第二 MOS晶体管(N2)漏极连接，第一 MOS晶体管(NI)栅极与第三MOS晶体管(N3)栅极连接，第二 MOS晶体管(N2)源极和栅极分别与第三M本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于电子标签的整流器，其特征在于：包括第一MOS晶体管（N1）、第二MOS晶体管（N2）、第三MOS晶体管（N3）及第四MOS晶体管（N4），所述第一MOS晶体管（N1）和第二MOS晶体管（N2）均为二极管连接的MOS管，第一MOS晶体管（N1）的源极和漏极分别与第四MOS晶体管（N4）漏极和第二MOS晶体管（N2）漏极连接，第一MOS晶体管（N1）栅极与第三MOS晶体管（N3）栅极连接，第二MOS晶体管（N2）源极和栅极分别与第三MOS晶体（N3）漏极和第四MOS晶体管（N4）栅极连接，第三MOS晶体管（N3）和第四MOS晶体管（N4）两者的源极均接地；所述第一MOS晶体管（N1）源极与第四MOS晶体管（N4）漏极之间的线路上连接有第一射频信号输入线（RF1），所述第二MOS晶体管（N2）源极与第三MOS晶体管（N3）漏极之间的线路上连接有第二射频信号输入线（RF2），所述第一MOS晶体管（N1）漏极和第二MOS晶体管（N2）漏极之间的线路上连接有电源（VHD1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾维亮，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：发明
国别省市：