蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物，该方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在该腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的蚀刻加工，其特征在于，该方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对台板施加偏压的状态下在该腔中运行氩气等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物，该方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在该腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的蚀刻加工，其特征在于，该方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对台板施加偏压的状态下在该腔中运行氩气等离子体。【专利说明】
本专利技术涉及一种在腔内的台板(platen)上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物。
技术介绍
许多蚀刻过程在蚀刻腔内可产生碳质沉积物。当加工广泛用于半导体及其它相关行业的聚酰亚胺(PI)涂层的硅晶片时，这尤其正确的。在金属沉积前，为了确保高品质的金属/金属界面，通过溅射蚀刻过程(通常使用氩气)从晶片表面去除材料是常见且需要的。此步骤通常是在物理气相沉积(PVD)预清洁构件中进行。然而，通过PVD预清洁构件来长时间蚀刻或频繁蚀刻PI晶片可导致在腔盖和腔壁周围形成(build-up)溅射材料。特别是在加工过程中，这种碳质材料可以累积至颗粒可变得松散并开始在腔的周围移动的水平，它们有落本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在所述腔内产生碳质沉积物，所述方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在所述腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的所述蚀刻加工，其特征在于，所述方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对所述台板施加偏压的状态下在所述腔内运行氩气等离子体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·R·伯吉斯，亚历克斯·西奥多西尓，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：