存储器装置和存储器控制方法制造方法及图纸

一种存储器装置，包括：一第一存储器晶粒，包含一第一系统区块；一第二存储器晶粒，包含一第二系统区块：以及一控制器，透过一单一晶片启动通道耦接至该第一存储器晶粒和该第二存储器晶粒，用以在该第一系统区块与该第二系统区块写入相同的系统内编程码，其中，当该存储器装置初始时，该控制器透过该晶片启动通道自该第一系统区块或第二系统区块读取该系统内编程码。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置和存储器控制方法
本专利技术系有关于电脑技术，特别系有关于存取方法。
技术介绍
储存元件常被使用在数位相机、行动电话、及个人数位助理(PersonalDigitalAssistant，简称PDA)、全球卫星导航定位系统（GLOBALPOSITIONINGSYSTEM，简称GPS）、多媒体拨放器（MovingPictureExpertsGroup1Layer3，简称MP3）…等等具存取能力的可携式电子装置中，尤其以非挥发性存储器(如：快闪存储器flashmemory)最为常见。然而，储存元件在读取系统内编程码(In-SystemProgrammingcode，ISPcode)时，会因为总线冲突而导致读取到错误的系统内编程码。因此，亟需要一种新的存储器控制方法，来克服这些问题。
技术实现思路
有鉴于此，本揭露提一种存储器装置，包括：一第一存储器晶粒，包含一第一系统区块；一第二存储器晶粒，包含一第二系统区块：以及一控制器，透过一单一晶片启动通道耦接至第一存储器晶粒和第二存储器晶粒，用以在第一系统区块与第二系统区块写入相同的系统内编程码，其中，当存储器装置初始时，控制器透过晶片启动通道自第一系统区块或第二系统区块读取系统内编程码。本揭露亦提供一种存储器控制方法，适用于具有一第一存储器晶粒、一第二存储器晶粒和一控制器的的一存储器装置，其中，第一存储器晶粒包含一第一系统区块，且第二存储器晶粒包含一第二系统区块，存储器控制方法包括：在第一系统区块与第二系统区块写入相同的系统内编程码；以及当存储器装置起始时，藉由控制器透过一单一晶片启动通道从第一系统区块或第二系统区块读取系统内编程码。为了让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图示，作详细说明如下：附图说明图1为一般存储器装置的一示意图；图2为本揭露的存储器装置的一示意图；图3为本揭露的存储器装置的另一示意图；图4为本揭露的存储器控制方法的一流程图；图5为本揭露的存储器控制方法的另一流程图；以及图6为本揭露的读取系统内编程码的一示意图。主要元件符号说明100、200、300：存储器装置；SB1、SB2：系统区块；110、120、210、220、310、320：存储器晶粒；130、230、330：控制器；140、150、240、340：晶片启动通道；150、350：非易失性存储器。具体实施方式以下说明是执行本专利技术的最佳模式。习知技艺者应能知悉在不脱离本专利技术的精神和架构的前提下，当可作些许更动、替换和置换。本专利技术的范畴当视所附申请专利范围而定。图1系一般存储器装置的一示意图。如图1所示，存储器装置100为传统具有双晶片启动通道和双存储器晶粒(2CE-2Die)的存储器装置。控制器130可分别透过两个晶片启动通道140和150读取系统区块SB1和SB2。由于存储器装置100具有两个晶片启动通道140和150，因此控制器130读取系统区块内的系统内编程码(In-SystemProgrammingcode，ISPcode)时，不会读取错误(例如读取系统区块SB1的系统内编程码时，读到系统区块SB2的系统内编程码)。但是，为了设计上的需要，晶片启动通道的数量常会被缩减(例如将晶片启动通道140或150移除)，因此存储器装置仅有单一晶片启动通道。传统具有单一晶片启动通道和双存储器晶粒(1CE-2Die)的存储器装置(例如图2的存储器装置200)在每次给电之后(即初始时)，存储器装置操作在第一模式(Non-1CE2DieMode)，并且存储器装置要根据额外的一组特别命令(SpecialCommand)才能转换成第二模式(1CE2DieMode)，但是断电之后又恢复到第一模式。并且传统单晶片启动通道的存储器装置在第一模式读取存储器晶粒(Flash)的系统内编程码时，会因为总线冲突(BusConflict)的影响，无法确认是哪一颗存储器晶粒会执行正确的动作，例如控制器读取数据时，数据的来源可能晶粒Die0(例如存储器晶粒210)也有可能是晶粒Die1(例如存储器晶粒220)，导致数据错误。图2系本揭露的存储器装置的一示意图。存储器装置200与存储器装置100相似，最大的差别在于存储器装置200具有单一晶片启动通道和双存储器晶粒。如图2所示，存储器装置200包括存储器晶粒210和220和控制器230。详细而言，存储器晶粒210包含一系统区块(systemblock)SB1，存储器晶粒220包含一系统区块SB2。控制器230透过单一晶片启动(chipenable)通道240耦接至存储器晶粒210和220。当存储器装置200初始时，控制器230透过晶片启动通道240自系统区块SB1或系统区块SB2读取系统内编程码。由于系统区块SB1与SB2都写入相同的系统内编程码，因此控制器230从系统区块SB1或SB2读取系统内编程码时，来自系统区块SB1或SB2的系统内编程码都是一样的，因此控制器230所读取系统内编程码是正确的。图3系本揭露的存储器装置的另一示意图，其中存储器装置300具有单一晶片启动通道和双存储器晶粒。如图3所示，存储器装置300与存储器装置200相似，差别在于存储器装置300具有非易失性存储器350，耦接至控制器330。非易失性存储器350可以是只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)，并且具有一只读存储器码(ROMcode)。当存储器装置300初始时，系操作于第一模式(Non-1CE2DieMode)。当控制器330取得系统内编程码后，存储器装置300由第一模式转换成操作在第二模式(1CE2Diemode)。当存储器装置300操作于第二模式时，控制器330根据该系统内编程码与该只读存储器码进行数据存取。当存储器装置300重新启动后，存储器装置300又重新操作在该第一模式。图4系本揭露的存储器控制方法的一流程图，如图4所示，存储器控制方法包括下列步骤。于步骤S41，在系统区块SB1与SB2写入相同的系统内编程码。当存储器装置300初始时，进入步骤S42，藉由控制器330透过晶片启动通道340从系统区块SB1或SB2读取系统内编程码，其中存储器装置300初始时，系操作于第一模式。图5系本揭露的存储器控制方法的另一流程图，其中步骤S51~S52与步骤S41~S42相同。如图5所示，当控制器330取得该系统内编程码后，进入步骤S53，将存储器装置300由第一模式转换成操作在第二模式。当存储器装置300操作于第二模式时，进入步骤S54，根据该系统内编程码与非易失性存储器350所储存的只读存储器码进行数据存取，其中非易失性存储器350设置在该存储器装置300中。当存储器装置300重新启动后，回到步骤S52。图6系本揭露的读取系统内编程码的一示意图。如图6所示，系统区块SB1与SB2都写入相同的系统内编程码，因此控制器330从系统区块SB1或SB2读取系统内编程码时，来自系统区块SB1或SB2的系统内编程码都是相同的，因此控制器330所读取系统内编程码是正确的。因此，本揭露的存储器装置200与300在第一模式读取系统区块时，因为受总线冲突影响，数据的来源端可能来自晶粒Die0(例如存储器晶粒210)或晶粒Die1(例如存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，包括：一第一存储器晶粒，包含一第一系统区块；一第二存储器晶粒，包含一第二系统区块：以及一控制器，透过一单一晶片启动通道耦接至该第一存储器晶粒和该第二存储器晶粒，用以在该第一系统区块与该第二系统区块写入相同的系统内编程码，其中，当该存储器装置初始时，该控制器透过该晶片启动通道自该第一系统区块或第二系统区块读取该系统内编程码。

【技术特征摘要】
2012.07.05 TW 1011241721.一种存储器装置，包括：一第一存储器晶粒，包含一第一系统区块；一第二存储器晶粒，包含一第二系统区块：以及一控制器，透过一单一晶片启动通道耦接至该第一存储器晶粒和该第二存储器晶粒，用以在该第一系统区块与该第二系统区块写入相同的系统内编程码，其中，当该存储器装置初始时，该控制器透过该晶片启动通道自该第一系统区块或第二系统区块读取该系统内编程码。2.如权利要求1所述的存储器装置，其中该存储器装置初始时，操作于一第一模式。3.如权利要求2所述的存储器装置，其中当该控制器取得该系统内编程码后，该存储器装置由该第一模式转换成操作在一第二模式。4.如权利要求3所述的存储器装置，更包括：一非易失性存储器，耦接至该控制器，并且具有一只读存储器码，其中当该存储器装置操作于该第二模式时，该控制器根据该系统内编程码与该只读存储器码进行数据存取。5.如权利要求3所述的存储器装置，其中当该存储器装置重新启动后，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜伟伦，罗峻译，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：