一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片及其制备方法。一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，包括以下步骤：第一步、将低熔点金属、陶瓷结合剂和磨料混合均匀，按照体积比计，包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，所述的低熔点金属5-38%，余量为气孔；第二步、将第一步混合后的原料装入模具，压制成型，得到切割片；第三步、将第二步压制的切割片600-700℃，真空烧制；第四步、将第三步烧制后的切割片加工到尺寸要求，即得高强度陶瓷超薄切割片。本发明专利技术的切割片，在普通陶瓷切割片的基础上加入金属元素，使生产的切割片的强度大大提高，达到≧50000转/分，不解体，且锋利，大幅度提高了成品率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，包括以下步骤：第一步、将低熔点金属、陶瓷结合剂和磨料混合均匀，按照体积比计，包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，所述的低熔点金属5-38%，余量为气孔；第二步、将第一步混合后的原料装入模具，压制成型，得到切割片；第三步、将第二步压制的切割片600-700℃，真空烧制；第四步、将第三步烧制后的切割片加工到尺寸要求，即得高强度陶瓷超薄切割片。本专利技术的切割片，在普通陶瓷切割片的基础上加入金属元素，使生产的切割片的强度大大提高，达到≧50000转/分，不解体，且锋利，大幅度提高了成品率。【专利说明】
本专利技术涉及一种超波切割片及其制备方法，尤其是。
技术介绍
超薄切割片在电子电路及电路板加工方面有广泛的应用。金属切割片因为加工效率低，锋利度不好，在加工过程中容易产生毛刺和拉伸现象，导致加工出来的产品质量不稳定；树脂切割片在加工过程中产生的高温下，使树脂发生碳化产生碳粉，粘附在被加工表面，容易产生短路等情况，从而影响产品质量；陶瓷切割片具有耐高温，高温稳定性好,加工效率高，加工质量好等优点，其在电子电路加工方面，具有良好的应用前景，但由于陶瓷产品自身的特点，其组织具有一定数量的气孔，其强度相对较低，从而限制了它的应用。加工电子电路的超薄切割片的规格要求:D60*38*0.15mm，达到30000转/分，然而常规工艺做出的产品无法满足这么高的强度，一般在15000转/分，一下就解体了，无法满足使用要求。因此研究一种适合于加工电子电路的超薄陶瓷切割片是很有意义的事情。【专利
技术实现思路
】本专利技术提供了，解决了现有陶瓷切割片强度低，无法满足切割电子电路板的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为:一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，按照体积比计，包括5-38%的低熔点金属。进一步，本专利技术的一种优选方案为:所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、招合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。进一步，本专利技术的一种优选方案为:按照重量百分比计，包括30%的低熔点金属。一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，包括以下步骤:第一步、将低熔点金属、陶瓷结合剂和磨料混合均匀，按照体积比计，包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，所述的低熔点金属5_38%，余量为气孔；第二步、将第一步混合后的原料装入模具，压制成型，得到切割片；第三步、将第二步压制的切割片在600-700°C真空烧制；第四步、将第三步烧制后的切割片加工到尺寸要求，即得高强度陶瓷超薄切割片。进一步，所述的进一步，本专利技术的一种优选方案为:所述的磨料为:金刚石、CBN和SG中的一种。进一步，本专利技术的一种优选方案为:所述的第三步中的真空烧制的条件为:真空度为KT4-1O-5个大气压。本专利技术的有益效果:本专利技术的高强度陶瓷超薄切割片，在普通陶瓷切割片的基础上加入金属元素，使生产的陶瓷超薄切割片的强度大大提高，达到兰50000转/分，不解体，且锋利，达到客户使用要求，客户的产品质量得到了提高，大幅度提高了成品率。【具体实施方式】下面将结合具体的实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，以D65*40*l.5mm的砂轮为例，包括以下步骤: 第一步、将低熔点金属、陶瓷结合剂和磨料混合均匀，按照体积比计，包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，所述的低熔点金属5_38%，余量为气孔；第二步、将第一步混合后的原料装入模具，压制成型，得到切割片；第三步、将第二步压制的切割片真空烧制，烧制温度:600-700 °C，真空度:10(10-5个大气压；第四步、将第三步烧制后的切割片加工到D65*40*l.5mm,即得高强度陶瓷超薄切割片。本实施例中的陶瓷结合剂可以为已经公开的任何陶瓷结合剂，本实施例中的陶瓷结合剂，按照重量百分比计，具体:Si0260%, Α120313.5%, ΒΒ2038.5%, K2015%,氧化钡 3%。具体的陶瓷结合剂、磨料、低熔点金属含量(检测所得，按照重量百分比计)及制备的高强度陶瓷超薄切割片的转速见表1。表1不同低熔点金属加入量和高强度陶瓷超薄切割片的转速【权利要求】1.一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于:按照体积比计，包括5-38%的低熔点金属。2.根据权利要求1所述的一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于:按照重量百分比计，包括30%的低熔点金属。3.根据权利要求1所述的一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于:所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、招合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。4.一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步、将低熔点金属、陶瓷结合剂和磨料混合均匀，按照体积比计，包括陶瓷结合剂为25%-35%，所述的磨料为37-50%，所述的低熔点金属5_38%，余量为气孔； 第二步、将第一步混合后的原料装入模具，压制成型，得到切割片； 第三步、将第二步压制的切割片在600-700°C真空烧制； 第四步、将第三步烧制后的切割片加工到尺寸要求，即得高强度陶瓷超薄切割片。5.根据权利要求4所述的一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于:所述的磨料为:金刚石、CBN和SG中的一种。6.根据权利要求4所述的一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于:所述的第三步中的真空烧制的条件为:真空度为10_4-10_5个大气压。7.根据权利要求4所述的一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片的制备方法，其特征在于:所述的低熔点金属为Al、Cu、Sn、Zn、Pb、招合金、铜合金、锡合金、锌合金和铅合金其中的一种或一种以上的混合物。【文档编号】B24D3/14GK103522205SQ201310454515【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日 【专利技术者】秦景厂, 郭留希, 袁德禄, 李晓苹 申请人:河南华茂新材料科技开发有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含金属的高强度陶瓷超薄切割片，其特征在于：按照体积比计，包括5?38%的低熔点金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦景厂，郭留希，袁德禄，李晓苹，
申请(专利权)人：河南华茂新材料科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：