在玻璃基底上制备四氧化三钴纳米薄膜的方法技术

技术编号:9563319 阅读:109 留言:0更新日期:2014-01-15 18:09
本发明专利技术公开了一种在玻璃上制备无机材料四氧化三钴(Co3O4)纳米薄膜的方法,本发明专利技术通过将硝酸钴溶于甲醇和水的混合溶剂中,然后加入十六烷基三甲基溴化铵CTAB,搅拌或超声使其完全溶解,将混合溶液移入高压反应釜的聚四氟乙烯腔体里,再将玻璃基底放入聚四氟乙烯腔体中,密闭加热反应一段时间,然后自然冷却至室温。再将生长了前驱体薄膜的玻璃基底进行洗涤干燥,再经热处理在玻璃上制备得到Co3O4纳米薄膜。本发明专利技术的优点:所用试剂均为商业分析纯产品,无需繁琐加工。且原料种类少,成本底,工艺简单可控,易操作,产物纯度高。本发明专利技术所制备的产品在半导体行业具有广泛的用途。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在玻璃基底上制备四氧化三钴纳米薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)称量六水合硝酸钴和CTAB,其重量之比为1:2.95~3.00,形成六水合硝酸钴?CTAB混合物,将六水合硝酸钴?CTAB混合物溶解于甲醇?水溶液中形成均一溶液,六水合硝酸钴?CTAB混合物的质量与甲醇?水溶液的体积之比为9.7~9.8:80;所述甲醇?水溶液的甲醇与水体积之比为77:3;(2)用去离子水、乙醇依次对玻璃基底进行超声洗涤5~30分钟;(3)移取均一溶液放入高压反应釜的聚四氟乙烯腔体里,再将玻璃基底放入聚四氟乙烯腔体中,180℃下密闭反应3~24小时使玻璃基底上生长前驱体薄膜,自然冷却至室温;(4)将玻璃基底依次用去离子水和乙醇各冲洗3~6次,然后于80℃干燥5~10小时;(5)将玻璃基底在250~300℃下煅烧至少6小时后得到Co3O4纳米薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:卿小霞余堃
申请(专利权)人:中国工程物理研究院化工材料研究所
类型:发明
国别省市:

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