辐射热传导抑制片制造技术

本发明专利技术提供辐射热传导抑制片。根据本发明专利技术的一个实施方案的辐射热传导抑制片包括：热传导抑制层；和热传导层。所述热传导抑制层具有0.06W/m·K以下的热导率。所述热传导层具有在7μm至10μm的波长为0.6以下的远红外线吸收率，以及具有200W/m·K以上的热导率。所述辐射热传导抑制片通过在以下状态下被固定到包含加热元件的外壳上来使用：在使得所述热传导层面对所述加热元件的热辐射表面而不与所述加热元件紧密接触的位置，所述热传导抑制层的一侧被固定到所述外壳上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供辐射热传导抑制片。根据本专利技术的一个实施方案的辐射热传导抑制片包括：热传导抑制层；和热传导层。所述热传导抑制层具有0.06W/m·K以下的热导率。所述热传导层具有在7μm至10μm的波长为0.6以下的远红外线吸收率，以及具有200W/m·K以上的热导率。所述辐射热传导抑制片通过在以下状态下被固定到包含加热元件的外壳上来使用：在使得所述热传导层面对所述加热元件的热辐射表面而不与所述加热元件紧密接触的位置，所述热传导抑制层的一侧被固定到所述外壳上。【专利说明】辐射热传导抑制片专利技术背景本申请在35U.S.C.第119节下要求通过引用结合在此的于2012年6月22日提交的日本专利申请序号2012-141184的优先权。
本专利技术涉及辐射热传导抑制片。
技术介绍
近年来，伴随着电子器件如个人计算机、平板PC、PDA、移动电话以及数字照相机的尺寸和厚度上的降低，以及性能上的提高，存在朝向设置在电子器件中的电子部件如CPU、LSI和通讯芯片的更高密度和更高集成度以及朝向电子部件在印刷线路片上的更高密度安装的进展。电子器件的厚度上的降低导致每个电子部件与外壳之间非常小的距离。结果，出现由于从电子部件至外壳辐射的热而在外壳的表面上出现热点的问题，并且出现使用者因为外壳的表面上的温度增加而受到低温烧伤的问题。此外，伴随着电子部件的更高密度和更高集成度，由电子部件产生的热的量增加。结果，除非有效地进行冷却，出现由于热失控而导致的电子器件故障的问题。迄今，作为将从电子部件生成的热有效地释放至外面的方式，已知这样一种方法，所述方法包括:在电子部件与受热器(典型地由铝、铜，其合金等组成)之间设置填充有热传导填充物的硅脂或硅橡胶，从而减少接触热阻以通过热传导将热引导至受热器中，所述热从受热器释放至空气中。此外，已知这样一种方法，所述方法包括:设置由合金制成的热管代替受热器，从而通过热管中的热传导将热引入至冷却扇中，所述热从冷却扇释放至外壳的外面。在那些方法中使用的受热器和热管各自使用具有高热导率的物质形成。迄今，从外壳中的受热器或热管释放的热导致电子部件周围的外壳表面的温度增加。换言之，那些方法没有有效地解决热点的问题和使用者受到低温烧伤的问题。为了解决如上所述的问题，日本专利号3590758提出了一种散热结构体，其中将散热片和真空绝热材料的层压材料设置在装置中的热生成部分与外壳之间。日本专利号4104887提出了一种散热结构体，其中将可以由与电子部件紧密接触的柔性材料形成的包括绝热片和热传导片的复合片在其中热传导片在电子部件一侧上并且复合片与电子部件和外壳的内表面两者接触的状态下设置。日本专利申请公开序号HeilO (1998)-229287提出了一种冷却结构体，所述冷却结构体包括:挤压部件，所述挤压部件设置在外壳的内表面上以便面对电子部件；以及热扩散片，所述热扩散片的一部分借助于挤压部件压住电子部件，并且所述热扩散片的一部分连接至外壳的内表面。然而，专利文献中描述的技术没有一个可以有效地解决外壳的表面上的温度增加和热点的问题。
技术实现思路
为了这些解决传统的问题做出本专利技术，并且本专利技术的一个目的在于提供一种辐射热传导抑制片，所述辐射热传导抑制片可以抑制外壳的表面上的温度增加和热点出现，可以通过极其容易的操作安装至外壳上，并且在对于外壳的粘合性上出色。根据本专利技术的一个实施方案的辐射热传导抑制片包括:热传导抑制层；和热传导层。热传导抑制层具有0.06W/m*K以下的热导率。热传导层具有在7μπι至IOym的波长为0.6以下的远红外线吸收率，以及具有200W/m.K以上的热导率。所述辐射热传导抑制片通过在以下状态下被固定到包含加热元件的外壳上来使用:在使得所述热传导层面对所述加热元件的热辐射表面而不与所述加热元件紧密接触的位置，所述热传导抑制层的一侧被固定到所述外壳上。在本专利技术的一个实施方案中，热传导抑制层包含:包括各自具有100 μ m以下的平均孔径的球形孔的多孔材料。在本专利技术的一个实施方案中，热传导抑制层包含:具有表面开口的多孔材料。在本专利技术的一个实施方案中，热传导抑制层包含:包括各自具有小于20 μ m的平均孔径的球形孔；和相邻的球形孔之间的通孔的多孔材料。在本专利技术的一个实施方案中，热传导抑制层包含亲水性聚氨酯系聚合物。在本专利技术的一个实施方案中，热传导抑制层在80°C具有lON/cm2以上的剪切粘合强度。在本专利技术的一个实施方案中，热传导层选自石墨片和金属箔。在本专利技术的一个实施方案中，热传导层的面积是热传导层面对的加热元件的热辐射表面的面积的4倍以上。根据本专利技术，包括具有规定热导率的热传导抑制层和具有规定热导率和规定远红外线吸收率的热传导层的辐射热传导抑制片以这样的方式设置:使得热传导层面对外壳中的加热元件同时不与加热元件接触，并且热传导抑制层的一侧固定至外壳的内表面。采用它，来自加热元件的辐射热可以由热传导层有效地反射。此外，通过传导传递至热传导层的热可以在热传导层的平面方向上有效地扩散，并且可以释放至外壳，同时在辐射热传导抑制片的厚度方向上通过热传导抑制层逐渐地传导。因此，即使在非常小的空间中如在小电子器件中的空间，来自加热元件的热可以非常有效地消散。作为结果，可以令人满意地抑制外壳的表面上的温度增加和热点出现。此外，根据本专利技术，热传导层不与加热元件接触，并且因此可以有效地利用热传导层的辐射热反射功能。作为结果，当与仅由通过与加热元件接触的热扩散分散热的情况比较，由加热元件产生的热的量相同时，可以减少由热传导层传导至热传导抑制层的热的量，并且因此也可以减少由热传导抑制层释放至外壳的热的量，结果是可以避免外壳的表面上过大的温度增加。此外，相对于加热元件处于非接触状态下的辐射热传导抑制片的使用消除了对于使得辐射热传导抑制片遵循加热元件的形状的需要。作为结果，即使当加热元件的高度变化时，也不需要使辐射热传导抑制片根据加热元件的形状变形以使得它们紧密接触。因此，可以容忍在加热元件(电子部件)的容差范围内的尺寸变化，并且因此该辐射热传导抑制片在制备效率和成本方面也是有益的。此外，根据本专利技术，辐射热传导抑制片的热传导抑制层具有足够的粘合性，并且因此辐射热传导抑制片可以借助于热传导抑制层而没有压敏粘合剂或粘合剂的任何使用而安装至外壳上，并且可以通过极其容易的操作安装至外壳上。【专利附图】【附图说明】在附图中:图1是根据本专利技术的一个实施方案的辐射热传导抑制片的示意性截面图；图2是根据本专利技术的另一个实施方案的辐射热传导抑制片的示意性截面图；图3是根据本专利技术的再另一个实施方案的辐射热传导抑制片的示意性截面图；图4是根据本专利技术的再另一个实施方案的辐射热传导抑制片的示意性截面图；图5是与本专利技术相关的热导率测量的示意图；图6是与本专利技术相关的辐射热传导抑制效果的测量的示意图；和图7是实施例中获得的热传导抑制层的截面SEM照相的照片，照片清楚地显示其中在相邻的球形孔之间存在通孔的开孔结构。【具体实施方式】Α.辐射热传导抑制片的概述根据本专利技术的一个实施方案的福射热传导抑制片包括热传导抑制层和热传导层。作为本专利技术的辐射热传导抑制片的典型结构，给出包括具有基本上相同的尺寸的热传导抑制层2和热传导层3的辐射热传导抑制片10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射热传导抑制片，所述辐射热传导抑制片包括：热传导抑制层；和热传导层，其中：所述热传导抑制层具有0.06W/m·K以下的热导率；所述热传导层具有：在7μm至10μm的波长处为0.6以下的远红外线吸收率，以及200W/m·K以上的热导率；并且所述辐射热传导抑制片通过在以下状态下被固定到包含加热元件的外壳上来使用：在使得所述热传导层面对所述加热元件的热辐射表面而不与所述加热元件紧密接触的位置，所述热传导抑制层的一侧被固定到所述外壳上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兵藤智纪，曾我匡统，平尾昭，河本裕介，每川英利，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：