发射辐射的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种发射辐射的半导体器件，其包括：发光二极管芯片(1)，其具有至少两个可彼此无关地工作的发射区域(2a、2b)；以不同方式构建的至少两个转换元件(31、32)，其中每个发射区域(2a、2b)设置用于在发光二极管芯片(1)工作时产生电磁初级辐射，每个发射区域(2a、2b)均具有发射面(21、22)，初级辐射的至少一部分通过所述发射面从发光二极管芯片(1)耦合输出，转换元件(31、32)设置用于吸收初级辐射的至少一部分并且再发射次级辐射，以不同方式构建的转换元件(31、32)设置在不同的发射面下游；电阻元件(4)，其与发射区域(2a、2b)中的至少一个串联或并联连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的半导体器件 本专利技术说明了一种发射辐射的半导体器件。文献US 2007/0252512A1描述了一种发射辐射的半导体器件。为了借助发光二极管芯片产生混合色的、特别是白色的光，可以在由发光二极管芯片发射的初级辐射的光路中使用转换元件，以便将一部分短波初级辐射转换为长波次级辐射。初级辐射与次级辐射的强度关系确定所发射的光的发射色彩。在实际中，一方面， 不同发光二极管芯片的初级辐射的波长有差别，即使这些发光二极管芯片一起制造并且例如来自同一个晶片；而且另一方面，转换元件的光学厚度也有差别，使得导致所形成的发射色彩不被希望的分布。所述问题可以如此解决在足够大的产量中，通过测量具有在确定的所希望的边界内的发射色彩的发光二极管芯片来将发光二极管芯片分类(所谓的Binning(分类))。 由此产生不可使用的次品，导致这种方法只能有限经济性地施行。本专利技术要达到的目的是提供一种发射辐射的半导体器件，其中所发射的光的色彩可以调节。根据发射辐射的半导体器件的至少一个实施形式，半导体器件包括发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括至少两个可彼此无关地工作的发射区域。这就是说，该发光二极管芯片分离为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：诺温·文马尔姆，拉尔夫·维尔特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：