一种调Q激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种调Q激光器，其特征在于：包括沿光路依次设置的激光增益介质、一具有布儒斯特角的电光材料和窗口片，所述的光路与电光材料成布儒斯特角入射。本实用新型专利技术所述的调Q激光器，采用各向同性的电光陶瓷在内的电光材料作为电光调Q器件，通过将其端面磨成布儒斯特角的方式实现起偏、检偏；并利用布儒斯特角对特定偏振态光(P光)无反射的天然特性免去端面镀膜，有效的避免了高功率调Q脉冲将器件表面膜层击伤的隐患，可提升激光器的最大输出功率。通过精密设计，我们可以优化布儒斯特角的应用范围，可以实现多波长调Q的脉冲输出。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种调Q激光器，其特征在于：包括沿光路依次设置的激光增益介质、一具有布儒斯特角的电光材料和窗口片，所述的光路与电光材料成布儒斯特角入射。本技术所述的调Q激光器，采用各向同性的电光陶瓷在内的电光材料作为电光调Q器件，通过将其端面磨成布儒斯特角的方式实现起偏、检偏；并利用布儒斯特角对特定偏振态光(P光)无反射的天然特性免去端面镀膜，有效的避免了高功率调Q脉冲将器件表面膜层击伤的隐患，可提升激光器的最大输出功率。通过精密设计，我们可以优化布儒斯特角的应用范围，可以实现多波长调Q的脉冲输出。【专利说明】一种调Q激光器
本技术涉及激光领域，尤其涉及一种调Q激光器。
技术介绍
调Q技术就是通过某种方法使腔的Q值随时间按一定程序化的技术，通过突然将低Q值的腔体切换为高Q值的腔体将此前存储在上能级的能量瞬间释放获得高功率、短持续时间的光脉冲。常规的主动调Q技术主要有机械、声光以及电光调Q技术，机械调Q技术受限于机械运动的速度限制，很难实现超短脉冲、超快频率的调Q输出。而声光调Q，受限于衍射效率及声波的速度的影响，其调Q效率及输出超短脉冲的能力也相对不如电光调Q。而常规的电光调Q激光器，往往配套有起偏检偏器件，这明显降低了激光器的Q值。而且常规的电光调Q激光器的驱动电压一般较高，制备相对比较困难。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的在于提供一种能够提升激光器的最大输出功率，并且可以实现多波长调Q的脉冲输出的调Q激光器。为达到上述目的，本技术所提出的技术方案为:一种调Q激光器，其特征在于:包括沿光路依次设置的激光增益介质、一具有布儒斯特角的电光材料和窗口片，所述的光路与电光材料成布儒斯特角入射。进一步，所述的激光增益介质既可以采用材料为Nd:YV04激光增益介质、Nd:GdV04激光增益介质或Nd = YAG激光增益介质等Nd离子激光增益介质，也可以是其他非Nd离子的激光增益介质。进一步，所述的电光材料优选为各向同性的电光材料，如电光陶瓷。采用上述技术方案，本技术所述的调Q激光器，采用各向同性的电光陶瓷在内的电光材料作为电光调Q器件，通过将其端面磨成布儒斯特角的方式实现起偏、检偏；并利用布儒斯特角对特定偏振态光(P光)无反射的天然特性免去端面镀膜，有效的避免了高功率调Q脉冲将器件表面膜层击伤的隐患，可提升激光器的最大输出功率。通过精密设计，我们可以优化布儒斯特角的应用范围，可以实现多波长调Q的脉冲输出。【专利附图】【附图说明】图1是现有技术电光调Q的激光器的示意图；图2是本技术所述的调Q激光器结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】，对本技术做进一步说明。参阅图1所示的常规的电光调Q激光器结构，均配备有部件11 (起偏、检偏器)，该部件的引入将导致激光器的固有损耗上升，降低激光器的Q值，且平行入射的表面往往需要加镀增透膜，这也容易在高峰值功率运行下发生损坏，即使同样采用布儒斯特角作起偏、检偏器件，仍然对激光器的Q值有一定影响。如图2本技术所述的调Q激光器结构示意图所示，包括泵浦源及沿光路依次设置的激光增益介质21、一具有布儒斯特角的电光材料22和窗口片23,所述的光路与电光材料22成布儒斯特角221入射。采用上述方案，作为电光调制器件的电光材料22两端面被加工为布儒斯特角的形式，在不增加更多光学元件的基础上实现的电光偏振态的调整及起偏、检偏的功能；功能的集成使得电光调Q激光器的部件得到精简，有效的降低激光器损耗，提升Q值，提升激光器的功率。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。【权利要求】1.一种调Q激光器，其特征在于:包括沿光路依次设置的激光增益介质、一具有布儒斯特角的电光材料和窗口片，所述的光路与电光材料成布儒斯特角入射。2.根据权利要求1所述的一种调Q激光器，其特征在于:所述的激光增益介质为Nd离子激光增益介质。3.根据权利要求2所述的一种调Q激光器，其特征在于:所述的Nd离子激光增益介质为Nd: YV04激光增益介质、Nd: GdV04激光增益介质或Nd: YAG激光增益介质。4.根据权利要求1所述的一种调Q激光器，其特征在于:所述的激光增益介质为非Nd离子的激光增益介质。5.根据权利要求1所述的一种调Q激光器，其特征在于:所述的电光材料为各向同性的电光材料。6.根据权利要求5所述的一种调Q激光器，其特征在于:所述的电光材料为电光陶瓷。【文档编号】H01S3/115GK203387048SQ201320514849【公开日】2014年1月8日 申请日期:2013年8月22日 优先权日:2013年8月22日 【专利技术者】吴砺, 林江铭, 贺坤 申请人:福州高意通讯有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调Q激光器，其特征在于：包括沿光路依次设置的激光增益介质、一具有布儒斯特角的电光材料和窗口片，所述的光路与电光材料成布儒斯特角入射。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，林江铭，贺坤，
申请(专利权)人：福州高意通讯有限公司，
类型：实用新型
国别省市：