EL显示装置设置有：在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。另外，在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，该布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案(41)；和以覆盖该下层图案(41)的上面及端面的方式形成并且由与下层图案(41)不同种类的金属材料构成的上层图案(42)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】EL显示装置设置有：在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。另外，在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，该布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案(41)；和以覆盖该下层图案(41)的上面及端面的方式形成并且由与下层图案(41)不同种类的金属材料构成的上层图案(42)。【专利说明】薄膜晶体管阵列装置以及使用其的EL显示装置
本专利技术涉及以多晶硅或微晶硅等作为活性层的薄膜晶体管阵列装置以及使用该薄膜晶体管阵列装置的EL显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管使用于有机EL显示器或液晶显示器等的显示装置的驱动基板，目前，正在盛行将其朝向高性能化开发。特别是，伴随着显示器的大型化和高清晰化，对薄膜晶体管的高电流驱动能力提出了要求，其中使用结晶化的半导体薄膜(多晶硅、微晶硅)作为活性层的薄膜晶体管受到瞩目。作为半导体薄膜的结晶化工艺，正在开发采用600°C以下的処理温度的低温工艺，以取代已经成熟的采用1000°c以上的処理温度的高温工艺技術。由于低温工艺中不必使用耐热性优越的石英等的高价基板，从而可以实现降低制造成本。作为低温工艺的一个环节，使用激光束加热的激光退火受到关注。激光退火是对成膜于玻璃等的低耐热性绝缘基板上的非晶硅或多晶硅等的非单晶性的半导体薄膜照射激光束使局部加热融化后，在其冷却过程中使半导体薄膜结晶化的技术。以该结晶化的半导体薄膜作为活性层(沟道领域)来集成形成薄膜晶体管。结晶化的半导体薄膜由于载流子的移动度高，因此可以使薄膜晶体管高性能化。作为如上所述的薄膜晶体管的结构，以将栅电极配置在半导体层之下的底栅型的结构为主流，已知的如专利文献1、2所示的结构。在专利文献I中，在基板上形成与晶体管连接的布线(电极)，以覆盖该布线(电极)的状态通过旋转涂敷法形成由感光性聚酰亚胺构成的平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)。然后，通过光刻法在该平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)形成连接孔(接触孔)。之后，在平坦化绝缘膜(层间绝缘膜)上形成通过该连接孔(接触孔)而与布线(电极)连接的有机EL元件。另外，在专利文献2中，层叠在第2金属层(电极)上的绝缘保護膜及层叠在绝缘保護膜上的绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)设置有孔状的接触孔，该接触孔使第2金属层(电极)与正电极(下部电极)电连接的连接触头贯穿于上下方向，并且接触孔是使绝缘保護膜的内周面与绝缘平坦化膜(层间绝缘膜)的内周面没有阶梯式高低差地连接形成的向下方凸出的锥子形状。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2001-28486号公报专利文献2:日本特开2009-229941号公报
技术实现思路
本专利技术公开的EL显示装置设置有:在一对的电极之间配置有发光层的发光部；和控制发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置。在发光部与薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且发光部的一方的电极通过所述层间绝缘膜的接触孔而与薄膜晶体管阵列装置电连接。薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，布线构件设置有:由铜或铜合金构成的下层图案；和以覆盖该下层图案的上面及端面的方式形成并且由与下层图案不同种类的金属材料构成的上层图案。(专利技术效果)根据该结构，可以确保布线部分的低电阻性以及信赖性。【专利附图】【附图说明】图1是表示一实施方式中的有机EL显示装置的立体图。图2是表示该图像显示装置的像素隔堤的例子的立体图。图3是表示像素电路的电路结构的电气电路图。图4是表示像素的结构的主视图。图5是沿图4中的5-5线切断的剖视图。图6是沿图4中的6-6线切断的剖视图。图7是表不一实施方式中的栅极布线的一个不例的剖视图。图8是用于说明一实施方式中的效果的剖视图。符号说明:1薄膜晶体管阵列装置 2阳极 3EL层 4阴极 5像素6像素电路 7栅极布线 8源极布线 9电源布线 10，11薄膜晶体管 21基板 22第I金属层 23栅极绝缘膜 24，25半导体膜 26第2金属层 27钝化膜 28导电氧化物膜 29第3金属层 30，32，33，35接触孔 31中继电极34，34a，34b层间绝缘膜 41下层图案 42上层图案【具体实施方式】下面，结合图1?图8对一实施方式中的薄膜晶体管阵列装置以及使用该薄膜晶体管阵列装置的EL显示装置予以说明。图1是表示EL显示装置的整体结构的立体图。图2是表示EL显示装置的像素隔堤的例子的立体图。图3是表示像素电路的电路结构的图。如图1?图3所示，EL显示装置自下层开始由薄膜晶体管阵列装置I和发光部的层叠结构构成，其中，薄膜晶体管阵列装置I中配置了多个薄膜晶体管，发光部由作为下部电极的阳极2、由有机材料构成的作为发光层的EL层3、及透明的作为上部电极的阴极4构成，由薄膜晶体管阵列装置对发光部进行发光控制。另外，发光部是在一对电极即阳极2与阴极4之间配置了 EL层3的结构，在阳极2与EL层3之间层叠地形成有空穴传输层，在EL层3与透明的阴极4之间层叠地形成有电子传输层。在薄膜晶体管阵列装置I中，多个像素5被配置成矩阵状。各像素5由各自设置的像素电路6来驱动。另外，薄膜晶体管阵列装置I设置有:被配置为行状的多个栅极布线7、以与栅极布线7交叉的方式被配置为列状的多个作为信号布线的源极布线8、和与源极布线8平行地延伸的多个电源布线9 (图1中省略)。栅极布线7在每行与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的栅电极IOg连接。源极布线8在每列与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的源电极IOs连接。电源布线9在每列与像素电路6各自包含的作为驱动元件动作的薄膜晶体管11的漏电极Ild连接。如图2所示，EL显示装置的各像素5由3色(红色、绿色、蓝色)的子像素5R、5G、5B构成。这些子像素5R、5G、5B在显示面上被排列成多个矩阵状(以下记为“子像素列”)。各子像素5R、5G、5B被隔堤5a相互分离开。隔堤5a形成为:与栅极布线7平行地延伸的突条和与源极布线8平行地延伸的突条相互交叉。而且，在由该突条所包围的部分(即隔堤5a的开口部)形成有子像素5R、5G、5B。在薄膜晶体管阵列装置I上的层间绝缘膜上且是在隔堤5a的开口部内，按每个子像素5R、5G、5B形成有阳极2。同样地，在阳极2上且是在隔堤5a的开口部内，按每个子像素5R、5G、5B形成有EL层3。在多个EL层3及隔堤5a上并且是以覆盖全部的子像素5R、5G、5B的方式，连续地形成有透明的阴极4。并且，在薄膜晶体管阵列装置I中，按每个子像素5R、5G、5B形成有像素电路6。而且，各子像素5R、5G、5B与相对应的像素电路6通过后边将阐述的接触孔及中继电极而电连接。另外，除EL层3的发光颜色不同这点之外，子像素5R、5G、5B具有相同的结构。因此，在以后的说明中，将不再区分子像素5R、5G、5B而将其全部记为“像素5”。如图3所示,像素电路6由作为开关元件动作的薄膜晶体管10、作为驱动元件动作的薄膜晶体管11、存储对应的像素所显示的数据的电容器12构成。薄膜晶体管10由与栅极布线7连接的栅电极10g、与源极布线8连接的源电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种EL显示装置，其设置有：在一对电极间配置有发光层的发光部；和控制所述发光部的发光的薄膜晶体管阵列装置，在所述发光部与所述薄膜晶体管阵列装置之间配置层间绝缘膜，并且所述发光部的一方的电极通过所述层间绝缘膜的接触孔而与所述薄膜晶体管阵列装置电连接，其中，所述薄膜晶体管阵列装置具有由铜或铜合金构成的布线构件，所述布线构件设置有：由铜或铜合金构成的下层图案；和以覆盖该下层图案的上面及端面的方式形成并且由与所述下层图案不同种类的金属材料构成的上层图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：东宽史，日高义晴，细野信人，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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