一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法。本发明专利技术采用石墨烯作为沟道材料，采用氢等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氢化边缘碳原子；采用氧等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氧化边缘碳原子，从而得到石墨烯纳米带的功能器件。理论计算表明制备的器件具有自旋阀的效果，可以应用于自旋存储器中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于石墨烯纳米带的自旋阀，其特征在于采用功能化边缘碳原子的石墨烯纳米带作为自旋输运沟道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙清清，王鲁浩，王鹏飞，张卫，周鹏，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：