二氧化硅负载催化剂制造技术

一种二氧化硅负载催化剂，其为在通过丙烷或异丁烷的气相催化氨氧化反应来制造对应的不饱和腈时使用的二氧化硅负载催化剂，其含有下述式（1）所示的金属氧化物：MoVaNbbXcTdZeOn…（1）（式（1）中，X表示选自Sb和Te中的至少1种以上的元素，T表示选自Ti、W、Mn和Bi中的至少1种以上的元素，Z表示选自La、Ce、Yb和Y中的至少1种以上的元素。a、b、c、d、e和n分别处于0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1、0≤e≤1的范围，n为满足化合价的平衡的值），所述二氧化硅负载催化剂的平均孔径为60～120nm，总孔容为0.15cm3/g以上，比表面积为5～25m2/g，并且由基于X射线衍射的（001）峰的半值宽度求出的微晶尺寸为40～250nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种二氧化硅负载催化剂，其为在通过丙烷或异丁烷的气相催化氨氧化反应来制造对应的不饱和腈时使用的二氧化硅负载催化剂，其含有下述式（1）所示的金属氧化物：MoVaNbbXcTdZeOn…（1）（式（1）中，X表示选自Sb和Te中的至少1种以上的元素，T表示选自Ti、W、Mn和Bi中的至少1种以上的元素，Z表示选自La、Ce、Yb和Y中的至少1种以上的元素。a、b、c、d、e和n分别处于0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1、0≤e≤1的范围，n为满足化合价的平衡的值），所述二氧化硅负载催化剂的平均孔径为60～120nm，总孔容为0.15cm3/g以上，比表面积为5～25m2/g，并且由基于X射线衍射的（001）峰的半值宽度求出的微晶尺寸为40～250nm。【专利说明】二氧化硅负载催化剂
本专利技术涉及在不饱和腈的制造中使用的二氧化硅负载催化剂。
技术介绍
以往，众所周知将丙烯或异丁烯进行气相催化氧化或气相催化氨氧化来制造对应的不饱和羧酸或不饱和腈的方法，近年来，用丙烷或异丁烷代替丙烯或异丁烯进行气相催化氧化或气相催化氨氧化来制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤聪，加藤高明，
申请(专利权)人：旭化成化学株式会社，
类型：
国别省市：