【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管驱动器，包括隔离输入单元、电平转换单元、正负电源分配单元、辅助电源单元、驱动输出单元、过流检测单元、降栅极电压单元、延迟判断单元、软关断单元、故障报警输出单元。过流短路时，过流检测单元动作，并将过流信息分别传送至降栅极电压单元和延迟判断单元，降栅极电压单元动作，输出信号至驱动输出单元，降低驱动脉冲；延迟判断单元动作，判断过流持续时间，并发送指令至软关断单元及电平转换单元，电平转换单元对输入进行闭锁，软关断单元向驱动输出单元发出关断指令，同时输出信号至短路报警单元。本专利技术采用高速光电耦合器隔离，保护措施完备，具有信号封锁功能，可以最大限度地保护IGBT的驱动器。【专利说明】一种绝缘栅双极型晶体管驱动器
本专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管驱动器，涉及电力电子器件驱动、保护技术，尤其是开关电源中的功率管驱动保护技术，具体来讲，本专利技术主要涉及大功率IGBT驱动电路和过流保护电路设计，属电子
。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管驱动器，其特征在于：包括隔离输入单元、电平转换单元、正负电源分配单元、辅助电源单元、驱动输出单元、过流检测单元、降栅极电压单元、延迟判断单元、软关断单元、故障报警输出单元；所述隔离输入单元、正负电源分配单元、辅助电源单元分别和电平转换单元相连，电平转换单元和驱动输出单元相连；所述过流检测单元分别和延迟判断单元、降栅极电压单元相连，延迟判断单元分别和电平转换单元、软关断单元相连，降栅极电压单元和驱动输出单元相连；软关断单元分别和驱动输出单元、故障报警输出单元相连；当发生过流短路时，过流检测单元动作，并将过流信息分别传送至降栅极电压单元和延迟判断单元，降栅...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱忠伟，檀三强，肖练，季程荣，唐娉婷，何柏群，田志新，
申请(专利权)人：江苏银佳企业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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