一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路制造技术

一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，它包括连接在电源电路中的欠压保护电路、过压保护电路和输出控制电路，欠压保护电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1、稳压二极管DZ1和TLV431芯片U1组成，过压保护电路由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C3、电容C4、三极管Q2、稳压二极管DZ2、稳压二极管DZ3和TLV431芯片U2组成，输出控制电路由电阻R11、电容C5、MOS晶体管Q3和二极管D1组成。本发明专利技术采用TLV431做为基准，不仅能够对供电电源进行过压和欠压保护，而且功耗低、精度高和反应速度快。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，它包括连接在电源电路中的欠压保护电路、过压保护电路和输出控制电路，欠压保护电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1、稳压二极管DZ1和TLV431芯片U1组成，过压保护电路由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C3、电容C4、三极管Q2、稳压二极管DZ2、稳压二极管DZ3和TLV431芯片U2组成，输出控制电路由电阻R11、电容C5、MOS晶体管Q3和二极管D1组成。本专利技术采用TLV431做为基准，不仅能够对供电电源进行过压和欠压保护，而且功耗低、精度高和反应速度快。【专利说明】一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路
本专利技术涉及一种电子电路，具体地说是一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，属于开关电源电压保护
。
技术介绍
开关电源的供电电压低于或者高于正常工作电压一定值时，都可能导致电源无法正常工作甚至损坏。为了解决上述问题，人们设计了过压、欠压保护电路，目前常用的过压及欠压保护电路是使用继电器由另一个辅助电源供电来控制其通断达到保护的目的。继电器反应速度慢，且需要另外提供一个电源来给继电器供电，这样不仅导致功耗增加，而且辅助电源的保护也是一个问题。
技术实现思路
针对上述不足，本专利技术提供了一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，其不仅能够对供电电源进行过压、欠压保护，而且功耗低、精度高。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，包括连接在电源电路中的欠压保护电路、过压保护电路和输出控制电路，其特征是，所述欠压保护电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容Cl、电容C2、三极管Q1、稳压二极管DZl和第一三端可调分流基准源Ul组成，所述过压保护电路由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C3、电容C4、三极管Q2、稳压二极管DZ2、稳压二极管DZ3和第二三端可调分流基准源U2组成，所述输出控制电路由电阻R11、电容C5、晶体管Q3和二极管Dl组成；其中，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R7和电阻R8的一端与电源电路的正极连接，所述电阻Rl的另一端与电阻R4的一端、电阻R5的一端、电容Cl的一端、电容C2的一端和第一三端可调分流基准源Ul的参考极连接，所述电阻R2的另一端与电容Cl的另一端、第一三端可调分流基准源Ul的阴极和稳压二极管DZl的负极连接，所述电阻R3的另一端与电阻R4的另一端、三极管Ql的集电极和晶体管Q3的栅极连接，所述三极管Ql的基极与稳压二极管DZl的正极连接，所述三极管Ql的发射极与电容C2的另一端、电阻R5的另一端、第一三端可调分流基准源Ul的阳极、晶体管Q3的源极和电容C5的一端连接并接地，所述电阻R6的另一端与电阻R9的一端、电阻RlO的一端、电容C3的一端、电容C4的一端和第二三端可调分流基准源U2的参考极连接，所述电阻R7的另一端与电容C3的另一端、第二三端可调分流基准源U2的阴极、稳压二极管DZ2的负极和晶体管Q3的栅极连接，所述电阻R8的另一端与电阻R9的另一端、三极管Q2的集电极和稳压二极管DZ3的负极连接，所述三极管Q2的基极与稳压二极管DZ2的正极连接，所述三极管Q2的发射极与电容C4的另一端、电阻RlO的另一端、第二三端可调分流基准源U2的阳极、稳压二极管DZ3的正极和电源电路输入端负极连接并接地，所述电容C5的另一端与电阻Rll的一端和二极管的负极连接，所述晶体管Q3的漏极与电阻Rll的另一端和二极管的正极和电源电路输出端负极连接。优选地，所述的第一三端可调分流基准源Ul和第二三端可调分流基准源U2均采用TLV431芯片。优选地，所述的三极管Ql和三极管Q2均采用NPN型三极管。优选地，所述的晶体管Q3采用N型MOS晶体管。本专利技术具有以下突出的有益效果:采用上述结构后，本专利技术采用TLV431基准源芯片做为保护电路的基准，无需外部电源供电，从电源电路的输入端汲取极微小的电流即可为自身电路进行供电，其不仅能够对供电电源进行过压和欠压保护，而且具有功耗低、精度高和反应速度快的特点。【专利附图】【附图说明】下面结合附图对本专利技术作进一步说明:图1是本专利技术的原理电路图。【具体实施方式】如图1所示，本专利技术的一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，它包括连接在电源电路中的欠压保护电路、过压保护电路和输出控制电路，所述欠压保护电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容Cl、电容C2、NPN型三极管Q1、稳压二极管DZl和TLV431芯片Ul组成，所述过压保护电路由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C3、电容C4、NPN型三极管Q2、稳压二极管DZ2、稳压二极管DZ3和TLV431芯片U2组成，所述输出控制电路由电阻R11、电容C5、N型MOS晶体管Q3和二极管Dl组成。其中，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R7和电阻R8的一端与电源电路的正极连接，所述电阻Rl的另一端与电阻R4的一端、电阻R5的一端、电容Cl的一端、电容C2的一端和TLV431芯片Ul的参考极连接，所述电阻R2的另一端与电容Cl的另一端、TLV431芯片Ul的阴极和稳压二极管DZl的负极连接，所述电阻R3的另一端与电阻R4的另一端、NPN型三极管Ql的集电极和N型MOS晶体管Q3的栅极连接，所述NPN型三极管Ql的基极与稳压二极管DZl的正极连接，所述NPN型三极管Ql的发射极与电容C2的另一端、电阻R5的另一端、TLV431芯片Ul的阳极、N型MOS晶体管Q3的源极和电容C5的一端连接并接地，所述电阻R6的另一端与电阻R9的一端、电阻RlO的一端、电容C3的一端、电容C4的一端和TLV431芯片U2的参考极连接，所述电阻R7的另一端与电容C3的另一端、TLV431芯片U2的阴极、稳压二极管DZ2的负极和N型MOS晶体管Q3的栅极连接，所述电阻R8的另一端与电阻R9的另一端、NPN型三极管Q2的集电极和稳压二极管DZ3的负极连接，所述NPN型三极管Q2的基极与稳压二极管DZ2的正极连接，所述NPN型三极管Q2的发射极与电容C4的另一端、电阻RlO的另一端、TLV431芯片U2的阳极、稳压二极管DZ3的正极和电源电路输入端负极连接并接地，所述电容C5的另一端与电阻Rll的一端和二极管的负极连接，所述N型MOS晶体管Q3的漏极与电阻Rll的另一端和二极管的正极和电源电路输出端负极连接。本专利技术所述的过压及欠压保护电路接在开关电源的整流器之后，滤波电容之前，用以保护包括滤波电容在内的后级电路。本专利技术的欠压保护机制是，经整流器输出的电压若低于设定值时，TL43芯片Ul阴极电位上升，升到使NPN型三极管Ql导通的时侯，电路状态翻转，NPN型三极管Ql饱和，将N型MOS晶体管Q3的栅极电位拉到很低，N型MOS晶体管Q3断开，后级电路得不到供电。这个电路类似于施密特电路，有一定的回差，因此NPN型三极管Ql只会工作在两种状态，一是饱和状态，二是完全关断状态，这样就避免了 N型MOS晶体管Q3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于三端可调分流基准源的过压及欠压保护电路，包括连接在电源电路中的欠压保护电路、过压保护电路和输出控制电路，其特征是，所述欠压保护电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1、稳压二极管DZ1和第一三端可调分流基准源U1组成,所述过压保护电路由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C3、电容C4、三极管Q2、稳压二极管DZ2、稳压二极管DZ3和第二三端可调分流基准源U2组成，所述输出控制电路由电阻R11、电容C5、晶体管Q3和二极管D1组成；其中，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R7和电阻R8的一端与电源电路的正极连接，所述电阻R1的另一端与电阻R4的一端、电阻R5的一端、电容C1的一端、电容C2的一端和第一三端可调分流基准源U1的参考极连接，所述电阻R2的另一端与电容C1的另一端、第一三端可调分流基准源U1的阴极和稳压二极管DZ1的负极连接，所述电阻R3的另一端与电阻R4的另一端、三极管Q1的集电极和晶体管Q3的栅极连接，所述三极管Q1的基极与稳压二极管DZ1的正极连接，所述三极管Q1的发射极与电容C2的另一端、电阻R5的另一端、第一三端可调分流基准源U1的阳极、晶体管Q3的源极和电容C5的一端连接并接地，所述电阻R6的另一端与电阻R9的一端、电阻R10的一端、电容C3的一端、电容C4的一端和第二三端可调分流基准源U2的参考极连接，所述电阻R7的另一端与电容C3的另一端、第二三端可调分流基准源U2的阴极、稳压二极管DZ2的负极和晶体管Q3的栅极连接，所述电阻R8的另一端与电阻R9的另一端、三极管Q2的集电极和稳压二极管DZ3的负极连接，所述三极管Q2的基极与稳压二极管DZ2的正极连接，所述三极管Q2的发射极与电容C4的另一端、电阻R10的另一端、第二三端可调分流基准源U2的阳极、稳压二极管DZ3的正极和电源电路输入端负极连接并接地，所述电容C5的另一端与电阻R11的一端和二极管D1的负极连接，所述晶体管Q3的漏极与电阻R11的另一端和二极管D1的正极和电源电路输出端负 极连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜廷华，
申请(专利权)人：济南沃尔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：