本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置，涉及液晶显示领域，节省了阻挡层结构的设置，提高了液晶显示装置的光学利用率。本发明专利技术实施例提供的一种阵列基板制备方法，包括：形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形；形成栅极绝缘层；形成有源层以及半导体层，通过构图工艺形成包括硅岛的图形；形成源漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线的图形；形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层，通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层；通过刻蚀工艺刻蚀掉沟道开口位置处的源漏金属层以及半导体层，形成包括源极、漏极以及沟道的图形。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置，涉及液晶显示领域，节省了阻挡层结构的设置，提高了液晶显示装置的光学利用率。本专利技术实施例提供的一种阵列基板制备方法，包括：形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形；形成栅极绝缘层；形成有源层以及半导体层，通过构图工艺形成包括硅岛的图形；形成源漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线的图形；形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层，通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层；通过刻蚀工艺刻蚀掉沟道开口位置处的源漏金属层以及半导体层，形成包括源极、漏极以及沟道的图形。【专利说明】阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置。
技术介绍
近年来,随着液晶显示产品的应用领域越来越广泛,液晶显示技术也越来越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显不器)以其高品质的图像显示、低能耗、环保等优势在显示领域占据着十分重要位置。作为一种常见的现有技术液晶显示装置结构。如图1所示，图1为该现有技术液晶显示装置的层间结构示意图，包括:基板la’以及依次设置在基板la’上的栅极金属层2’、栅极绝缘层3’、有源层包括非晶硅半导体层4’以及掺杂硅半导体层5’、源漏金属层6’、第一钝化层7’、像素电极层9’、第二钝化层10’、公共电极层11’ ；基板lb’以及设置在基板lb’上的配向膜12’、黑矩阵13’、彩色滤光片14’ ；以及封框胶15’、隔垫物16’、液晶分子17，。然而，专利技术人发现制备现有技术液晶显示装置时至少存在如下问题:本领域技术人员通常利用涂覆并固化有机树脂的方式形成第一钝化层。然而形成第一钝化层的有机树脂材料中包含有例如:-0H基团以及其它不饱和键，即使固化交联后不饱和键依然存在，因此会对沟道产生影响(例如:导致TFT特性下降或是漏电流过大等不良现象)。为了克服该影响，通常需要在沟道上涂覆一层氮化硅阻挡层，阻止树脂材料不饱和键与沟道的接触。然而，这又会引入新的问题，例如:在阻挡层上制备过孔时，氮化硅材料的横向刻蚀速率较快而纵向刻蚀速率较慢，因此生成的过孔其结构上部小下部大，再进行制备ITO或金属连接线时容易出现断线情况。另一方面，现有技术液晶显示装置中形成的平坦结构的第一钝化层，其对光线的会聚效果有限，致使无法进一步提高液晶显示装置对光的利用率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置，节省了阻挡层结构的设置，提高了液晶显示装置的光学利用率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例采用如下技术方案:—种阵列基板制备方法，包括:形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形；形成栅极绝缘层；形成有源层，通过构图工艺形成包括硅岛的图形；形成源漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线的图形；形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层，通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述沟道开口位置处的所述源漏金属层以及部分所述有源层，形成包括源极、漏极以及沟道的图形。进一步的，阵列基板制备方法，在形成所述包括源极、漏极以及沟道的图形之后，还包括:形成像素电极层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极相连；形成第二钝化层，通过构图工艺形成包括栅极线过孔、数据线过孔的图形；形成公共电极层，通过构图工艺形成包括公共电极的图形。进一步的，所述第一感光树脂层材料的光灵敏度小于所述第二感光树脂层材料的光灵敏度。优选的，所述第一感光树脂层材料的折射率小于所述第二感光树脂层材料的折射率。优选的，所述有源层包括非晶硅半导体层以及掺杂硅半导体层。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板通过上述的制备方法制备生成。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种液晶显示装置，包括上述阵列基板，所述液晶显示装置中还包括:隔垫物；所述隔垫物设置于第二钝化层的凹陷位置处，所述隔垫物的凸起形状与所述第二钝化层的凹陷形状相匹配。本专利技术实施例提供的一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置，利用源漏金属层，避免了有机树脂材料中的不饱和键进入沟道而影响沟道特性，从而省去了阻挡层的设置；同时制备生成具有凹凸图案的第一钝化层，有利于提高液晶显示装置的光学利用率。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术液晶显示装置的层间结构示意图；图2为本专利技术实施例阵列基板制备方法的流程图之一；图3为本专利技术实施例阵列基板制备方法的流程图之二 ；图4a至图4i为本专利技术实施例阵列基板的结构示意图，其中，图4i为本专利技术实施例阵列基板最终的层间结构示意图；图5为本专利技术实施例液晶显示装置的层间结构示意图。【具体实施方式】本专利技术的实施例提供一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置，节省了阻挡层结构的设置，提高了液晶显示装置的光学利用率。以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本专利技术。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。下面结合下述附图对本专利技术实施例做详细描述。本专利技术实施例提供了一种阵列基板制备方法，如图2所示，该方法包括:步骤SlOl:形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形；需要说明的是，在本专利技术中，构图工艺包括涂胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤。具体的，如图4a所示，首先在基板Ia上形成一层栅极金属层2，然后通过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成包括栅极、栅极线的图形。其中，基板Ia可为玻璃基板或闻分子有机树脂基板等等。步骤S102:形成栅极绝缘层。具体的，如图4b所示，在完成上述步骤SlOl的基板上形成一层栅极绝缘层3。该栅极绝缘层3的材质可为SiNx、SiOx> SiNx/SiOx中的任意一种或几种。步骤S103:形成有源层，通过构图工艺形成包括硅岛的图形。具体的，如图4c所示，在完成上述步骤S102的基板上形成有源层，具体的，该有源层可包括一层非晶硅半导体层4以及一层掺杂硅半导体层5，然后通过一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤形成包括硅岛的图形。其中，非晶硅半导体层4的材质可为非晶娃(a-Si);掺杂娃半导体层5的材质可为掺杂娃(n+Si)。进一步的，步骤S103还包括:在完成上述工艺的基础上，可通过再一次构图工艺经掩膜、曝光、刻蚀和光刻胶去除等工艺步骤进一步在栅极绝缘层3上形成包括阵列基板周边区域所需的过孔的图案。步骤S104:形成源漏金本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形；形成栅极绝缘层；形成有源层，通过构图工艺形成包括硅岛的图形；形成源漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线的图形；形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层，通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述沟道开口位置处的所述源漏金属层以及部分所述有源层，形成包括源极、漏极以及沟道的图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：阎长江，高建剑，王丽鹏，谢振宇，陈旭，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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