探测基板及探测装置制造方法及图纸

技术编号:42616902 阅读:41 留言:0更新日期:2024-09-03 18:22
本公开提供了一种探测基板及探测装置,涉及光电技术领域,探测基板,包括:衬底基板,以及设置在衬底基板一侧的探测区和非探测区,探测区包括多个探测单元,探测单元包括:薄膜晶体管;感光器件,位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧,包括依次层叠设置的第一电极、光电二极管以及第二电极,第一电极靠近薄膜晶体管设置,第一电极和第二电极分别与光电二极管连接,第一电极还与薄膜晶体管的第一极连接;第二电极背离衬底基板的表面上设置有绝缘层,在绝缘层与第二电极之间无其它膜层设置,在衬底基板上的正投影中,位于探测单元内的绝缘层没有设置过孔。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电,特别是涉及一种探测基板及探测装置


技术介绍

1、相关技术中的探测装置,可以将探测光束转换为可见光,然后在探测基板的感光器件作用下将可见光转换为电信号,最终通过探测基板的薄膜晶体管读取电信号并输出探测图像。感光器件包括光电二极管,以及形成在光电二极管两侧的第一电极和第二电极。

2、目前探测装置的偏压驱动一般通过探测基板的偏压总线搭接感光器件的第二电极进行偏压信号加载。但是,偏压总线在感光器件的第二电极上方布线搭接,会降低感光器件接收外界光线的面积,降低探测装置的填充率。


技术实现思路

1、本公开提供了一种探测基板,包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板一侧的探测区和非探测区,所述探测区包括多个探测单元,所述探测单元包括:

2、薄膜晶体管;

3、感光器件,位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧,包括依次层叠设置的第一电极、光电二极管以及第二电极,所述第一电极靠近所述薄膜晶体管设置,所述第一电极和所述第二电极分别与所述光电二极管连接,所述第一电极还与所述薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探测基板,包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板一侧的探测区和非探测区,所述探测区包括多个探测单元,所述探测单元包括:

2.根据权利要求1所述的探测基板,其中,所述多个探测单元分别沿行方向和列方向阵列排布;并且

3.根据权利要求2所述的探测基板,其中,所述面状结构在所述衬底基板上的正投影整面覆盖所述探测区,且所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影范围内。

4.根据权利要求2所述的探测基板,其中,设置在相邻两个所述探测单元的第二电极之间的连接线数量大于或等于2,且小于或等于5。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种探测基板,包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板一侧的探测区和非探测区,所述探测区包括多个探测单元,所述探测单元包括:

2.根据权利要求1所述的探测基板,其中,所述多个探测单元分别沿行方向和列方向阵列排布;并且

3.根据权利要求2所述的探测基板,其中,所述面状结构在所述衬底基板上的正投影整面覆盖所述探测区,且所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影范围内。

4.根据权利要求2所述的探测基板,其中,设置在相邻两个所述探测单元的第二电极之间的连接线数量大于或等于2,且小于或等于5。

5.根据权利要求2所述的探测基板,其中,所述第二电极与所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影有交叠,所述探测...

【专利技术属性】
技术研发人员:王震张鹏张冠吴申康李晓东马健李良杰刘琨田露
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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