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基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器制造技术

技术编号:9488386 阅读:186 留言:0更新日期:2013-12-25 22:26
本发明专利技术涉及共烧陶瓷高温传感器,具体是一种基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器。本发明专利技术解决了现有共烧陶瓷高温传感器只能进行单参数测量的问题。基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器包括第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片;第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片自下而上依次层叠成一体。本发明专利技术适用于自动化、航天、航空和国防军工领域中的同一位置多参数测量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及共烧陶瓷高温传感器,具体是一种基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器。本专利技术解决了现有共烧陶瓷高温传感器只能进行单参数测量的问题。基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器包括第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片;第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片自下而上依次层叠成一体。本专利技术适用于自动化、航天、航空和国防军工领域中的同一位置多参数测量。【专利说明】基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器
本专利技术涉及无线无源高温陶瓷传感器,具体是一种基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器。
技术介绍
LTCC (低温共烧陶瓷)和HTCC (高温共烧陶瓷)高温传感器因其具有耐高温、低成本、绝缘、自封装等一系列特性,而被广泛应用于自动化、航天、航空和国防军工领域中的压力、温度、加速度等参数的测量。在现有技术条件下,LTCC和HTCC高温传感器受自身结构所限,只能进行单参数测量。因此,现有LTCC和HTCC高温传感器在很多应用场合无法满足特定的测试需求。例如在对航空发动机进行参数测量时,需要同时测量其尾喷位置的压力、温度和加速度。如果采用现有的共烧陶瓷高温传感器进行测量,则需要在航空发动机上打三个安装孔来分别安装三个共烧陶瓷高温传感器,并通过三个共烧陶瓷高温传感器分别测量压力、温度和加速度。然而这样便无法保证三个共烧陶瓷高温传感器测得的数据是同一位置的数据,从而影响测量数据的准确性。此外,多个安装孔还会对被测物的结构强度带来不利影响。基于此,有必要专利技术一种全新的共烧陶瓷高温传感器,以解决现有共烧陶瓷高温传感器只能进行单参数测量的问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有共烧陶瓷高温传感器只能进行单参数测量的问题,提供了一种基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器。本专利技术是采用如下技术方案实现的:基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器,包括第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片;第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片、第九生瓷片、第十生瓷片、第十一生瓷片自下而上依次层叠成一体;第一生瓷片的右部开设有上下贯通的第一导气孔;第一生瓷片的后部开设有上下贯通的第一排气孔;第二生瓷片的右部开设有上下贯通的第二导气孔;第二导气孔与第一导气孔对应贯通;第二生瓷片的后部开设有上下贯通的第二排气孔;第二排气孔与第一排气孔对应贯通;第二生瓷片的左部开设有上下贯通的悬臂梁质量块活动孔;第三生瓷片的上表面右部布置有压力敏感电容下极板;压力敏感电容下极板与第二导气孔位置正对;第三生瓷片的后部开设有上下贯通的第三排气孔;第三排气孔与第二排气孔对应贯通;第三生瓷片的左部打孔加工有悬臂梁质量块;悬臂梁质量块与悬臂梁质量块活动孔位置对应;悬臂梁质量块的上表面布置有加速度敏感电容下极板;第四生瓷片的右部开设有上下贯通的压力敏感电容介质孔;压力敏感电容介质孔与压力敏感电容下极板位置正对;压力敏感电容介质孔的后孔壁开设有第一排气通道;第一排气通道的后端与第三排气孔对应贯通;第四生瓷片的左部开设有上下贯通的加速度敏感电容介质孔;加速度敏感电容介质孔与加速度敏感电容下极板位置正对;加速度敏感电容介质孔的左孔壁与第四生瓷片的左表面开设有左右贯通的第二排气通道;第五生瓷片的上表面右部布置有压力敏感电容上极板;压力敏感电容上极板与压力敏感电容介质孔位置正对;第五生瓷片的上表面左部布置有加速度敏感电容上极板;加速度敏感电容上极板与加速度敏感电容介质孔位置正对;第六生瓷片的上表面中央布置有温度敏感电容下极板;第七生瓷片为采用铁电介质材料制成的生瓷片;第八生瓷片的上表面中央分别布置有温度敏感电容上极板和温度敏感LC环路的电感线圈;温度敏感电容上极板与温度敏感电容下极板位置正对;温度敏感LC环路的电感线圈的内端与温度敏感电容上极板连接;第九生瓷片的上表面左前部布置有加速度敏感LC环路的电感线圈;第十生瓷片的上表面右后部布置有压力敏感LC环路的电感线圈;第三生瓷片的下表面与第十生瓷片的上表面开设有上下贯通的过孔;过孔内穿设有由金属浆料填充形成的导线;温度敏感LC环路的电感线圈的外端通过导线与温度敏感电容下极板连接;加速度敏感LC环路的电感线圈的内端通过导线与加速度敏感电容上极板连接;加速度敏感LC环路的电感线圈的外端通过导线与加速度敏感电容下极板连接;压力敏感LC环路的电感线圈的内端通过导线与压力敏感电容上极板连接;压力敏感LC环路的电感线圈的外端通过导线与压力敏感电容下极板连接。工作时,采用玻璃浆堵住第一排气孔,以保证压力敏感电容介质孔的气密性,并将本专利技术所述的基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器与外部线圈天线进行耦合。具体工作过程包括:一、当测量温度变化时,第七生瓷片的介电常数随温度变化而发生变化,导致温度敏感电容的电容值发生变化,进而导致温度敏感LC环路的谐振频率发生变化。此时通过外部线圈天线读取谐振频率,即可测得温度值。二、在加速度作用时,悬臂梁在振动作用下发生弯曲变形,使得质量块在悬臂梁质量块活动孔和加速度敏感电容介质孔内发生上下振动,进而使得加速度敏感电容下极板与加速度敏感电容上极板之间的距离发生变化,导致加速度敏感电容的电容值发生变化,进而导致加速度敏感LC环路的谐振频率发生变化。此时通过外部线圈天线读取谐振频率,即可测得加速度值。三、当有压力作用时,第三生瓷片在压力作用下发生形变,使得压力敏感电容下极板与压力敏感电容上极板之间的距离发生变化,导致压力敏感电容的电容值发生变化,进而导致压力敏感LC环路的谐振频率发生变化。此时通过外部线圈天线读取谐振频率,即可测得压力值。在上述过程中,第一导气孔和第二导气孔的作用是保证压力敏感电容下极板与外界环境接触。第一排气孔、第二排气孔、第三排气孔、第一排气通道、第二排气通道的作用是保证层叠过程中的碳膜在烧结氧化后排出。第十一生瓷片的作用是保证压力敏感LC环路的电感线圈不暴露于恶劣环境中(既可以有效防止压力敏感LC环路的电感线圈在高温下氧化,又可以防止压力敏感LC环路的电感线圈在腐蚀性环境下被腐蚀),同时提高传感器的整体结构强度。基于上述过程,本专利技术所述的基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器通过十一层生瓷片将三个敏感电容(压力敏感电容、加速度敏感电容、温度敏感电容)和三个敏感LC环路(压力敏感LC环路、加速度敏感LC环路、温度敏感LC环路)集成为一体,实现了对同一位置的压力、加速度、温度三参数进行测量。因此,与现有共烧陶瓷高温传感器相比,本专利技术所述的基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器不仅测量准确性更高,而且省去了多个安装孔,从而有效保证了被测物的结构强度。本专利技术结构合理、设计巧妙,有效解决了现有共烧陶瓷高温传感器只能进行单参数测量的问题,适用于自动化、航天、航空和国防军工领域中的同一位本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器,其特征在于:包括第一生瓷片(1)、第二生瓷片(2)、第三生瓷片(3)、第四生瓷片(4)、第五生瓷片(5)、第六生瓷片(6)、第七生瓷片(7)、第八生瓷片(8)、第九生瓷片(9)、第十生瓷片(10)、第十一生瓷片(11);第一生瓷片(1)、第二生瓷片(2)、第三生瓷片(3)、第四生瓷片(4)、第五生瓷片(5)、第六生瓷片(6)、第七生瓷片(7)、第八生瓷片(8)、第九生瓷片(9)、第十生瓷片(10)、第十一生瓷片(11)自下而上依次层叠成一体;第一生瓷片(1)的右部开设有上下贯通的第一导气孔(12);第一生瓷片(1)的后部开设有上下贯通的第一排气孔(13);第二生瓷片(2)的右部开设有上下贯通的第二导气孔(14);第二导气孔(14)与第一导气孔(12)对应贯通;第二生瓷片(2)的后部开设有上下贯通的第二排气孔(15);第二排气孔(15)与第一排气孔(13)对应贯通;第二生瓷片(2)的左部开设有上下贯通的悬臂梁质量块活动孔(16);第三生瓷片(3)的上表面右部布置有压力敏感电容下极板(17);压力敏感电容下极板(17)与第二导气孔(14)位置正对;第三生瓷片(3)的后部开设有上下贯通的第三排气孔(18);第三排气孔(18)与第二排气孔(15)对应贯通;第三生瓷片(3)的左部打孔加工有悬臂梁质量块(19);悬臂梁质量块(19)与悬臂梁质量块活动孔(16)位置对应;悬臂梁质量块(19)的上表面布置有加速度敏感电容下极板(20);第四生瓷片(4)的右部开设有上下贯通的压力敏感电容介质孔(21);压力敏感电容介质孔(21)与压力敏感电容下极板(17)位置正对;压力敏感电容介质孔(21)的后孔壁开设有第一排气通道(22);第一排气通道(22)的后端与第三排气孔(18)对应贯通;第四生瓷片(4)的左部开设有上下贯通的加速度敏感电容介质孔(23);加速度敏感电容介质孔(23)与加速度敏感电容下极板(20)位置正对;加速度敏感电容介质孔(23)的左孔壁与第四生瓷片(4)的左表面开设有左右贯通的第二排气通道(24);第五生瓷片(5)的上表面右部布置有压力敏感电容上极板(25);压力敏感电容上极板(25)与压力敏感电容介质孔(21)位置正对;第五生瓷片(5)的上表面左部布置有加速度敏感电容上极板(26);加速度敏感电容上极板(26)与加速度敏感电容介质孔(23)位置正对;第六生瓷片(6)的上表面中央布置有温度敏感电容下极板(27);第七生瓷片(7)为采用铁电介质材料制成的生瓷片;第八生瓷片(8)的上表面中央分别布置有温度敏感电容上极板(28)和温度敏感LC环路的电感线圈(29);温度敏感电容上极板(28)与温度敏感电容下极板(27)位置正对;温度敏感LC环路的电感线圈(29)的内端与温度敏感电容上极板(28)连接;第九生瓷片(9)的上表面左前部布置有加速度敏感LC环路的电感线圈(30);第十生瓷片(10)的上表面右后部布置有压力敏感LC环路的电感线圈(31);第三生瓷片(3)的下表面与第十生瓷片(10)的上表面开设有上下贯通的过孔(32);过孔(32)内穿设有由金属浆料填充形成的导线(33);温度敏感LC环路的电感线圈(29)的外端通过导线(33)与温度敏感电容下极板(27)连接;加速度敏感LC环路的电感线圈(30)的内端通过导线(33)与加速度敏感电容上极板(26)连接;加速度敏感LC环路的电感线圈(30)的外端通过导线(33)与加速度敏感电容下极板(20)连接;压力敏感LC环路的电感线圈(31)的内端通过导线(33)与压力敏感电容上极板(25)连接;压力敏感LC环路的电感线圈(31)的外端通过导线(33)与压力敏感电容下极板(17)连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谭秋林熊继军罗涛张文栋梁庭刘俊薛晨阳康昊李晨任重杨明亮王晓龙
申请(专利权)人:中北大学
类型:发明
国别省市:

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