Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2材料层和钼基体之间的改进的界面制造技术

本发明专利技术涉及一种制造由I-III-VI合金构成的具有光伏特性的薄层的方法。根据本发明专利技术的方法包括的基本步骤有：a)在基体(SUB)上沉积一个适配层(MO)，b)在所述适配层上沉积至少一层至少包括元素I和/或元素III的层(SEED)。适配层是在近似真空的条件下沉积的，而且步骤b)包括第一步操作：在与适配层沉积的条件相同的条件下沉积第一层元素I和/或元素III，而不将适配层暴露于空气中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮埃尔菲利普·格朗德，吉休斯萨尔瓦多·杰米费勒，伊曼纽尔·罗切，哈里克利埃·德利吉安尼，拉曼·维德亚纳桑，凯思琳B·勒特，强·黄，柳博迈尔·罗曼凯伍，莫里瑟·马松，东纳S·朱潘斯基尼尔森，
申请(专利权)人：耐克西斯公司，
类型：
国别省市：