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Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2材料层和钼基体之间的改进的界面制造技术
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文档序号:9467660
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本发明涉及一种制造由I-III-VI合金构成的具有光伏特性的薄层的方法。根据本发明的方法包括的基本步骤有:a)在基体(SUB)上沉积一个适配层(MO),b)在所述适配层上沉积至少一层至少包括元素I和/或元素III的层(SEED)。适配层是在...
该专利属于耐克西斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过耐克西斯公司授权不得商用。
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