【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。【专利说明】—种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法
本专利技术涉及一种纳米材料，尤其是涉及。
技术介绍
纳米材料作为一种新型材料，已经展示了良好的应用前景，目前对纳米材料的应用研究热点主要集中在纳米管、纳米线、纳米薄膜、纳米复合材料等方面。随着器件尺寸的减小，量子限制效应、库仑阻塞效应等物理效应会越来越显著，将从更深层次揭示纳米半导体材料的新性能，为实现纳米器件的应用打下基础。虽然目前已初步实现...
【技术保护点】
一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，清洗后得样品；2）用全息激光干涉法对步骤1）得到的样品进行曝光显影，得到周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；3）利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李成，卢卫芳，黄诗浩，林光杨，陈松岩，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：
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