【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本专利技术在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。【专利说明】在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
本专利技术涉及半导体材料制备技术，尤其涉及一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜。
技术介绍
氧化镓材料具有单斜晶型，具有直接带隙结构，禁带宽度为4.9eV，在发光、探测和电子器件等方面都有重要应用，是目前宽带隙半导体材料领域的研究热点。虽然目前已经能在实验室中制备出氧化嫁单晶，但是其晶体质量还有待提闻，目如实验室制备的氧化嫁单晶体积往往...
【技术保护点】
一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏晓川，柳阳，申人升，梁红伟，杜国同，胡礼中，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：
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