【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构,由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成,薄Mo薄膜层为高阻Mo层,Ag薄膜层为应力缓冲层,厚Mo薄膜层为阻挡层,阻挡层为双层Mo薄膜;该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本专利技术的优点是:采用简单、低廉的磁控溅射技术,制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力,这种复合结构的背电极电阻率比较低,其反射率比较高,对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。【专利说明】—种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓砸薄膜太阳能电池的背电极
本专利技术涉及铜铟镓硒薄膜太阳能电池,特别是一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。
技术介绍
柔性衬底铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池是在金属箔或高分子聚合物薄膜基底上,经过真空沉积和化学沉积若干层半导体薄膜以及金属薄膜而构成的太阳电池,因其可折叠性、轻质、不易碎、机械性能好、质功比高、空间性能好以及适用卷卷(roll toroll) ...
【技术保护点】
一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,其特征在于:该背电极用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构,由聚酰亚胺衬底(PI)、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成,薄Mo薄膜层为高阻Mo层,薄膜厚度为50?80nm;Ag薄膜层为应力缓冲层,薄膜厚度为50?80nm;厚Mo薄膜层为阻挡层,阻挡层为双层Mo薄膜,第一层Mo薄膜厚度为100?200nm,第二层Mo薄膜厚度为600?700nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘玮,程龙,孙云,李祖亮,周志强,张毅,
申请(专利权)人:南开大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。