一种线切碎硅片杂质的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种线切碎硅片杂质的处理方法，包括：用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，烘烤温度550～800摄氏度；烘烤完成后，快速将高温碎硅片取出并用自来水反复冲洗；用浓度10～30%氢氧化铵溶液清洗碎硅片，不断搅拌，时间10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至pH试纸测试pH6为止；将碎硅片放入超声波清洗器中，时间保持20分钟，从超声波清洗器取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120摄氏度。本发明专利技术易于操作，实现了废硅料的再利用，大大减少了硅材料的浪费，有效降低原材料成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种线切碎硅片杂质的处理方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，设定烘烤温度为550～800度；S2、烘烤完成后，快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗；S3、冲洗完成后，用浓度10～30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片，清洗过程中不断搅拌，时间控制在10～30分钟；清洗完成后，用纯水反复冲洗碎硅片，直至PH试纸测试PH6为止；S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗，时间保持20分钟；从超声波清洗器中取出碎硅片，用烘箱烘烤20～40小时，烘箱温度设定为100～120度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜玉峰，张冰蕾，付振东，张玉亮，刘存国，闫广宁，李永峰，
申请(专利权)人：河北宁晋松宫半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：