低雾度透明导电电极制造技术

技术编号:9296317 阅读:96 留言:0更新日期:2013-10-31 00:45
本发明专利技术关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法,其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H,纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层,其折射率介于1.1-1.5之间,其厚度位于100纳米至200纳米之间。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低雾度透明导电电极薄膜,包括:基板,其折射率为n_sub;单透明导电层,其包括沉积于基板上部的金属纳米线;及折射率匹配层,其包括折射率为n_in的各向异性层;其中,n_in的值大于1并小于n_sub,且所述低雾度透明导电电极薄膜的硬度大于1H,波长为400?800纳米之间时光线透光率大于80%,且其表面电阻小于350欧/平方。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘克菲
申请(专利权)人:苏州诺菲纳米科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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