高导热系数的致冷芯片及其制法与产品制造技术

本发明专利技术提供一种高导热系数的致冷芯片及其制法与产品，致冷芯片包括第一氮化铝层及第二氮化铝层、分别披覆在第一氮化铝层、第二氮化铝层上的第一金属薄膜及第二金属薄膜、分别形成在第一金属薄膜、第二金属薄膜上的第一铜箔层及第二铜箔层、以及固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间、多数个交互排列的P型半导体及多数个N型半导体，借此提供高导热系数的致冷芯片；另外，本发明专利技术还提供高导热系数致冷芯片的制法与产品。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有高导热系数的致冷芯片的冷热交换装置，其特征在于，该交换装置包括：具有冷端面及热端面的致冷芯片，包括：第一氮化铝层及第二氮化铝层；第一金属薄膜及第二金属薄膜，该第一金属薄膜披覆在该第一氮化铝层上，该第二金属薄膜披覆在该第二氮化铝层上；第一铜箔层及第二铜箔层，该第一铜箔层形成在该第一金属薄膜上，该第二铜箔层形成在该第二金属薄膜上；以及多数个P型半导体及多数个N型半导体，交互排列且固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间，其中，该第一氮化铝层及该第二氮化铝层对应位于该P型半导体及该N型半导体的相对侧；第一传导模块，包含贴接在该致冷芯片的冷端面上的第一基座、固定在该第一基座的两个以上第一鳍片、及装置在该第一鳍片上的第一风扇；以及第二传导模块，包含贴接在该致冷芯片的热端面上的一第二基座、固定在该第二基座的两个以上超导管、套接在该超导管上的两个以上第二鳍片、及装置在该第二鳍片上的第二风扇。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林义民，
申请(专利权)人：林义民，
类型：发明
国别省市：