功率MOSFET的耗尽层温度测量制造技术

技术编号:9278970 阅读:97 留言:0更新日期:2013-10-25 00:18
本发明专利技术描述了一种用作逆变器的功率开关的组件,所述逆变器用于控制车辆转向助力装置的驱动电动机,所述组件包括一个具有栅极、漏极和源极的Mosfet和一个具有阳极和阴极的第一二极管,其中设置所述二极管用于测量Mosfet的耗尽层温度,其中,Mosfet为N通道型或P通道型,并且所述源极与所述阴极连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用作逆变器的功率开关的组件,所述逆变器用于控制车辆转向助力装置的驱动电动机,所述组件包括一个具有栅极、漏极和源极的Mosfet(2)和一个具有阳极和阴极的第一二极管(4),其中设置所述二极管(4)用于测量Mosfet(2)的耗尽层温度,其特征在于,Mosfet(2)为N通道型或P通道型,并且所述源极与所述阴极连接。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:C·欧路S·沃尔兹
申请(专利权)人:ZF操作系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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