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功率MOSFET的耗尽层温度测量制造技术
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文档序号:9278970
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本发明描述了一种用作逆变器的功率开关的组件,所述逆变器用于控制车辆转向助力装置的驱动电动机,所述组件包括一个具有栅极、漏极和源极的Mosfet和一个具有阳极和阴极的第一二极管,其中设置所述二极管用于测量Mosfet的耗尽层温度,其中,Mos...
该专利属于ZF操作系统有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ZF操作系统有限公司授权不得商用。
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