蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置制造方法及图纸

技术编号:9278345 阅读:133 留言:0更新日期:2013-10-25 00:07
本发明专利技术涉及蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置。本发明专利技术的课题是提供一种在同一平面内设置正极及负极的蓄电元件以及一种在同一平面内配置有该蓄电元件的蓄电装置。本发明专利技术的一个方式是一种蓄电元件,包括形成在同一平面内的正极集电体层及负极集电体层、正极集电体层上的正极活性物质层、负极集电体层上的负极活性物质层以及至少接触于正极活性物质层及负极活性物质层的电解质层。此外,本发明专利技术的一个方式是一种蓄电装置,其中在同一平面内配置有多个该蓄电元件,通过布线将该多个蓄电元件电连接,并且蓄电元件被串联连接或并联连接的蓄电装置。

【技术实现步骤摘要】
蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置
本专利技术涉及一种蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及一种蓄电装置。此外,本说明书中的蓄电元件是指所有具有蓄电功能的元件,并且蓄电装置是指所有具有蓄电功能的装置。此外,在本说明书中,将在平面上配置多个蓄电元件的装置看作蓄电装置。
技术介绍
近年来,对锂二次电池、锂离子电容器以及空气电池等各种蓄电装置进行了开发。尤其是,作为高输出且高能量密度的二次电池,使锂离子在正极与负极之间迁移而进行充放电的锂二次电池引人注目。注意,锂二次电池是指作为载流子离子使用锂离子的二次电池。另外,作为能够代替锂离子的载流子离子,可以举出钠、钾等碱金属离子、钙、锶、钡等碱土金属离子、铍离子或镁离子等。此外,在很多情况下,现有的锂二次电池的电解质为在室温下呈现高离子传导性的液体,市场上出售的锂二次电池大部分使用有机类电解液。但是这种使用有机类电解液的锂二次电池有泄漏及起火的危险,由此对安全性更高的使用固体电解质的全固体电池积极地进行研究(参照专利文献1)。此外,有如下技术:通过层叠而形成多个固体电池,以串联状态将该多个固体电池分别连接而进行放电,来可以得到高工作电压,并且通本文档来自技高网...
蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置

【技术保护点】
一种蓄电元件,包括:衬底;所述衬底上的正极和负极,该正极和该负极配置在同一平面内;所述正极和所述负极上的电解质层,该电解质层接触于所述正极和所述负极;以及所述电解质层上的第一层,该第一层包括绝缘材料并与所述衬底一起密封所述电解质层、所述正极以及所述负极。

【技术特征摘要】
2012.03.26 JP 2012-0695191.一种蓄电装置,包括:衬底;所述衬底上的晶体管;所述晶体管上的绝缘膜;以及所述绝缘膜上的正极,所述正极包括:正极集电体层;以及所述正极集电体层上的正极活性物质层;所述绝缘膜上的负极,所述负极包括:负极集电体层;以及所述负极集电体层上的负极活性物质层;所述正极和所述负极上的电解质层,该电解质层接触于所述正极和所述负极;所述电解质层上的锂层,所述锂层接触于所述正极活性物质层和所述负极活性物质层中的至少一个;以及所述电解质层和所述锂层上的第一层,该第一层包括绝缘材料并与所述衬底一起密封所述电解质层、所述正极以及所述负极,其中所述正极和所述负极配置在同一平面内,所述正极活性物质层与所述绝缘膜直接接触,且所述负极活性物质层与所述绝缘膜直接接触。2.根据权利要求1所述的蓄电装置,其中所述电解质层是包括固体电解质的固体电解质层。3.根据权利要求1所述的蓄电装置,所述正极集电体层和所述负极集电体层包括相同材料。4.根据权利要求1所述的蓄电装置,其中所述电解质层覆盖所述正极的一部分和所述负极的一部分,因此所述第一层接触于所述正极和所述负极。5.一种包括根据权利要求1所述的蓄电装置的电器设备。6.一种蓄电装置,包括:衬底;所述衬底上的第一晶体管至第五晶体管;所述第一晶体管至所述第五晶体管上的绝缘膜;以及位于所述绝缘膜上的第一蓄电元件和第二蓄电元件,其中所述第一蓄电元件和所述第二蓄电元件各自包括:所述绝缘膜上的正极,所述正极包括:正极集电体层;以及所述正极集电体层上的正极活性物质层;所述绝缘膜上的负极,所述负极包括:负极集电体层;以及所述负极集电体层上的负极活性物质层;所述正极和所述负极上的电解质层,该电解质层接触于所述正极和所述负极;所述电解质层上的锂层,所述锂层接触于所述正极活性物质层和所述负极活性物质层中的至少一个;以及所述电解质层和所述锂层上的第一层,该第一层包括绝缘材料并密封所述电解质层、所述正极以及所述负极,其中所述正极和所述负极配置在同一平面内,所述第一晶体管和第二晶体管在所述第一蓄电元件的所述正极与所述第二蓄电元件的所述正极之间进行串联电连接,第三晶体管和第四晶体管在所述第一蓄电元件的所述负极与所述第二蓄电元件的所述负极之间进行串联电连接,所述第三晶体管、第五晶体管和第二晶体管在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:栗城和贵田岛亮太森若圭惠桃纯平
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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