半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料制造技术

本发明专利技术公开了一种半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料，工艺的步骤包括：按以下组份和各组份质量份备料：长石粉：20份～30份；石英粉：20份～30份；方解石：2份～6份；宽城土：8份～15份；TiO2：3份-6份；Fe2O3：15份～20份；Cr2O3：1.5份～4.5份，并制成半导电釉料；将半导电釉坯件的法兰盘胶装处至最近一伞下沿间用胶带予以覆盖，然后采用淋釉机在坯件上淋一层普通釉料；然后将胶带取下，对胶带覆盖处喷上一层半导电釉浆；在法兰盘胶装处喷砂；该种工艺制备出的半导电釉能克服原来的在法兰盘附近的电场分布极不均匀，瓷套表面绝缘电阻值偏大，局部电放指数高的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导电釉的施釉工艺，其特征在于该工艺的步骤如下：a）按以下组份和各组份质量份备料：长石粉：20份~30份；石英粉：20份~30份；方解石：2份~6份；宽城土：8份~15份；TiO2：3份?6份?；Fe2O3?：15份~20份；Cr2O3?：1.5份~4.5份；b）按料︰球︰水＝1~1.5︰1.5~2︰0.5~1，湿法球磨25~30小时；c）球磨后的釉料过320目筛，筛余控制在0.02~0.05范围内，再调成50~70波美度的半导电釉浆备用；d）先将半导电釉坯件的法兰盘胶装处至最近一伞下沿间用胶带予以覆盖，然后采用淋釉机在坯件上淋一层普通釉料，并且控制普通釉料厚度在0.20mm~0.30mm范围内；e）然后将胶带取下，对胶带覆盖处喷上一层步骤c）中制备的半导电釉浆；f）在法兰盘胶装处喷砂；g）在喷砂处再覆盖一层半导电釉浆，并且控制半导电釉浆的总厚度在0.22mm~0.35mm范围内；h）采用中性焰或弱还原性焰在1100℃~1280℃的气氛下烧制成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈圣明，杨成波，佟军，赵红军，冯智慧，罗恩泽，吴佶，陈瑾，胡亮，
申请(专利权)人：湖南省醴陵市浦口电瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：