一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管制造技术

一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层依次相连、所述N-导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N-导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。与传统技术相比，本实用新型专利技术为终端客户节约了成本，并同时增加了器件集成度，简化了应用电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N?导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，其特征是：所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N?导电层依次相连、所述N?导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N?导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，乔宇波，梁明，
申请(专利权)人：深圳市盛元半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：