形成多面低聚倍半硅氧烷化合物的方法技术

至少两种多面低聚倍半硅氧烷(POSS)化合物的混合物在存在氧化铈(IV)担载铼的情况下形成。利用包括以下步骤的方法形成所述POSS化合物：在温度为250℃至600℃的反应器中，混合(a)三卤代硅烷、(b)氢气和(c)所述氧化铈(IV)担载铼以形成所述混合物。所述三卤代硅烷具有式RSiX3，其中R为具有1至4个碳原子的烷基、芳基，并且其中X为卤原子。该方法允许有效、可预见和准确地制备所述POSS化合物，同时将使用昂贵分离技术的需求降至最低。此外，该方法以商业上可用的量将所述POSS化合物制备为主要反应产物，从而避免进行多个反应的需要。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·卡佐利斯，罗伯特·托马斯·拉森，
申请(专利权)人：道康宁公司，
类型：
国别省市：