本发明专利技术提供一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路，主要包括：两个电源VB+、VB-、绝缘栅双极晶体管IGBT、输入脉冲控制电路、光耦P1、初级放大电路、次级放大电路、Vce的监测保护电路以及输出电路；所述输出电路主要由双极型晶体管电路与电源电路构成，可以输出正负15V脉冲电压。输出电路输出的正负15V脉冲电压可以使绝缘栅双极晶体管IGBT在不同的导通上升时间和关断下降时间条件下有效导通。在干扰较大的应用场合中，输出电路提供的负15V电压可以使绝缘栅双极晶体管IGBT可靠关断，提高绝缘栅双极晶体管IGBT工作的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路，主要包括：一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路，主要包括：两个用于提供工作电压的电源VB+、VB?；一个用于控制负载通断的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）；一个控制脉冲输入电路，用于将前级控制系统发出的脉冲信号传递给光耦P1；光耦P1，主要用来实现控制电路和主电路的电气隔离，其输入端接收前级控制系统发出的的控制脉冲信号，输出端相当于一个OC门；初级放大电路，主要包括双极型晶体管VT1，用于对控制绝缘栅双极晶体管IGBT开通和关断所需要的栅极脉冲进行初级功率放大，其输入端与光耦P1的输出端连接，其输出端与MOSFET驱动芯片U3的输入端INA相连；次级放大电路，主要包括二极管D1、D2、D3，电阻R3、R7、R8，电容C13，MOSFET器件?U1和U2，其中，R3并联在二极管D1的两端，二极管D1的阳极与MOSFET的驱动芯片U3的输出引脚OUTA相连，阴极与MOSFET器件U1的G极相连，电容C13并联在二极管D2的两端，电阻R7并联在二极管D3的两端，二极管D2的阴极接U1的OUTA，二极管D2的阳极接二极管D3的阴极，电阻R8的一端接二极管D3的阳极，另一端接MOSFET器件U2的S1极；绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极与发射级间的导通压降Vce的监测保护电路，主要由电阻R14、R15、R18、R19，二极管A1，稳压管Z1和双极型晶体管VT2组成，用于对绝缘栅双极晶体管IGBT进行过流保护；其中，二极管A1的阴极经电阻R14接双极型晶体管VT2的集电极，阳极经电阻R12与电源VB+连接，晶体管VT1的集电极经电阻R12与电源VB+连接，双极型晶体管VT1的发射极接地，其基极通过电阻R20接至光耦P1的输出引脚6，稳压管Z1的阴极接电阻R18，阳极接晶体管VT2的基极,VT2的发射极接地，集电极通过电阻R14、R15接至电源VB+；故障软关断电路，主要由电阻R9、R13，稳压二极管D4、二极管D5和电容C15组成，用于在绝缘栅双极晶体管IGBT发生过流时对绝缘栅双极晶体管IGBT进行缓慢关断防止在绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极产生大的噪声；其中，电阻R9的一端接驱动芯片U3的输入端INB引脚，另一端接双极型晶体管VT2的集电极；电容C15并联在稳压二极管D4两端，稳压二极管D4的阴极接驱动芯片U3的输出端OUTB，阳极接二极管D5的阴极，电阻R13并联在二极管D5两端。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王松，李晓坤，李广大，历杰，
申请(专利权)人：山东大学威海，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。