石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料制造技术

本发明专利技术涉及一种石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料，该复合材料由基体铝或铝合金和石墨、硅组成，所述的石墨的体积分数为20％～65％，硅的体积分数为3％～40％，其余为铝或铝合金；所述的复合材料中还添加有抑制石墨铝有害界面反应物Al4C3的生成的界面改性添加剂。与现有技术相比，本发明专利技术在石墨/硅/铝复合材料中引入添加剂，利用添加剂元素进行铝碳界面改性，抑制有害Al4C3相的形成，通过减少界面热阻提高导热性能。所制备的复合材料结构致密，机械性能优异，其中热导率210-780W/mK，热膨胀系数在2.3～10×10-6m/K。本发明专利技术主要应用于电子封装材料，高功率密度、高热流密度的电子和微电子设备中的导热材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种石墨/硅混杂增强高导热低膨胀铝基复合材料，其特征在于，该复合材料由基体铝或铝合金和石墨、硅组成，所述的石墨的体积分数为20％～65％，硅的体积分数为3％～40％，其余为铝或铝合金；所述的复合材料中还添加有抑制石墨铝有害界面反应物Al4C3的生成的界面改性添加剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲，周聪，王浩伟，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：