具有在平面内方向上延伸的一体化通孔的多层电子结构制造技术

技术编号:9224176 阅读:138 留言:0更新日期:2013-10-04 17:57
一种多层电子支撑结构,其包括在X-Y平面内延伸的被通孔层分隔开的至少一对相邻的特征层;所述通孔层包括夹在两个相邻特征层之间的介电材料以及至少一个非圆柱形通孔柱,所述至少一个非圆柱形通孔柱穿过所述介电材料在垂直于X-Y平面的Z方向上连接所述成对的相邻特征层;其中所述至少一个非圆柱形通孔柱的特征在于在X-Y平面内的长尺寸为在X-Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多层电子支撑结构,其包括在X?Y平面内延伸的被通孔层分隔开的至少一对相邻的特征层;所述通孔层包括夹在两个相邻特征层之间的介电材料以及穿过所述介电材料的至少一个非圆柱形通孔柱,所述至少一个非圆柱形通孔柱在垂直于X?Y平面的Z方向上连接所述成对的相邻特征层;其中所述至少一个非圆柱形通孔柱的特征在于在X?Y平面内的长尺寸为在X?Y平面内的短尺寸的至少3倍长度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:卓尔·赫尔维茨
申请(专利权)人:珠海越亚封装基板技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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