接触孔之底金属层去除量的量测方法技术

一种接触孔之底金属层去除量的量测方法，包括：步骤S1：对接触孔进行刻蚀；步骤S2：利用光学线宽测量仪，量测接触孔的总深度H；步骤S3：利用前层膜厚量测仪，量测位于底金属层上的膜层总厚度h；步骤S4：获得所述接触孔之底金属层的去除量Δh=H-h。本发明专利技术通过利用光学线宽量测仪获取所述接触孔之底金属层的去除量Δh，与电性、电阻之间的关系，以判断所述接触孔之底金属层的去除量Δh是否符合所述控制规格，可在线及时、快速反馈和调整所述接触孔的刻蚀时间，精确控制并稳定在线产品接触孔之底金属层去除量，并获得稳定的电阻值与电学特性，不仅极大的节省人力、物力，而且可精确控制所述接触孔之底金属层的去除量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种接触孔之底金属层去除量的量测方法，其特征在于，所述接触孔之底金属层去除量的量测方法包括：执行步骤S1：对设置在所述硅基衬底上的接触孔进行刻蚀；执行步骤S2：利用光学线宽测量仪，量测所述接触孔的总深度H；执行步骤S3：利用前层膜厚量测仪，量测位于所述接触孔之底金属层上的膜层总厚度h；执行步骤S4：获得所述接触孔之底金属层的去除量，所述接触孔之底金属层的去除量Δh=H?h。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志豪，张颂周，荆泉，任昱，吕煜坤，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：